公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究被引量：2: 2015年; 文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4F_8)下电极射频功率为40 W)和11 s/2 s(C_4F_8下电极射频功率为0 W)的三步刻蚀工艺,贯穿刻蚀了宽度为150μm,深度为300μm的直壁沟槽。其次,研究了C_4F_8(八氟环丁烷)钝化气体对SiO_2薄膜过刻蚀的现象,采用降低C4F8下电极射频功率方法,减小了C4F8对SiO_2薄膜过刻蚀。; 颜改革韩敬宁殷志富邹赫麟; 关键词：深反应离子刻蚀射频功率 SIO2薄膜

压电喷墨结构设计及其制造工艺优化: 喷墨打印技术是一种非接触式、输出图像质量较高的打印技术，并在很多领域占有重要地位。如今压电式喷墨打印技术作为喷墨打印技术一个重要的类别，以响应速度快、非接触性、高分辨率、寿命长和墨水性能要求低等优势，被广泛应用于印刷业、...; 韩敬宁

全选清除导出

共1页<1>

韩敬宁