2024年11月14日
星期四
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
吴波
作品数:
2
被引量:5
H指数:1
供职机构:
北京工业大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
邓军
北京工业大学
杨立鹏
北京工业大学
李鹏飞
北京工业大学
陈永远
北京工业大学
徐晨
北京工业大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
1篇
电阻
1篇
优化设计
1篇
腔面
1篇
面发射
1篇
面发射激光器
1篇
激光
1篇
激光器
1篇
光致
1篇
光致发光
1篇
光致发光特性
1篇
发光
1篇
发光特性
1篇
发射激光器
1篇
反射镜
1篇
DBR
1篇
INP
1篇
INP基
1篇
MOCVD
1篇
布拉格反射镜
1篇
掺杂
机构
2篇
北京工业大学
1篇
昆明物理研究...
作者
2篇
吴波
2篇
邓军
1篇
徐晨
1篇
史衍丽
1篇
李建军
1篇
韩军
1篇
陈永远
1篇
李鹏飞
1篇
杨立鹏
1篇
杨利鹏
1篇
田迎
传媒
1篇
红外技术
1篇
半导体光电
年份
1篇
2014
1篇
2013
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响
被引量:1
2014年
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高。
吴波
邓军
杨利鹏
田迎
韩军
李建军
史衍丽
关键词:
INP
MOCVD
INGAAS
垂直腔面发射激光器DBR的优化设计
被引量:4
2013年
模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电流热效应,为实现室温连续工作打下基础。
李鹏飞
邓军
陈永远
杨立鹏
吴波
徐晨
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张