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一种SiC高压功率器件结终端的制备方法: 本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2<Sup>n</Sup>级）并进行掩膜版图形结构设计；然后在SiC样片上通过多次台阶制备工艺（包括制备硬掩膜层、刻蚀台阶...; 李志强李俊焘徐星亮张林代刚; 文献传递

基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法: 本发明提出了一种基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法；该SiC小角度深刻蚀终端制作方法采用双层胶剥离工艺制备刻蚀所需的极小倾角金属掩膜，其工艺原理主要是通过控制双层胶工艺形成的光刻胶倒台面形貌来控制剥离之后...; 李良辉周坤李志强张林徐星亮杨英坤代方李俊焘; 文献传递

一种SiC高压功率器件结终端的制备方法: 本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2<Sup>n</Sup>级）并进行掩膜版图形结构设计；然后在SiC样片上通过多次台阶制备工艺（包括制备硬掩膜层、刻蚀台阶...; 李志强李俊焘徐星亮张林代刚

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 2018年; 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。; 曾建平安宁李志强李倩李倩唐海林唐海林; 关键词：T型栅最高振荡频率

一种碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列: 本实用新型提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位...; 李良辉周坤徐星亮李俊焘李志强张林代刚; 文献传递

一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用: 本发明公开了一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用，所述二氧化硅倾斜台面结构的斜坡顶部与底部具有1～15°的小角度，中部具有15～60°的大角度，为一种上小下大且边缘形貌圆润光滑的倾斜台面结构；该结构利用双层胶工艺对...; 李良辉徐星亮徐哲张林李志强李俊焘

应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构: 本实用新型提供了一种应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本实用新型的刻蚀技术使用厚光刻胶作为掩膜方式及实现了大...; 李良辉李俊焘徐星亮李志强周坤张林代刚; 文献传递

基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法: 本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板...; 杨英坤张龙李俊焘代刚肖承全古云飞银杉张林徐星亮向安周阳李志强崔潆心; 文献传递

基于漂移区阶梯刻蚀的双向耐压功率器件逆向终端结构: 本发明属于功率半导体器件领域，提出了一种基于漂移区阶梯刻蚀的双向耐压功率器件逆向终端结构，包括第一导电类型的半导体漂移区和位于其下方的第二导电类型的半导体区，在漂移区的边缘具有阶梯结构，阶梯数≥2；各级阶梯的深度和宽度之...; 周坤李良辉张林李志强徐星亮李俊焘; 文献传递

一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法: 本发明提出的一种SiC高压功率器件欧姆接触的制备方法，通过采用杂质分凝技术(dopant segreation)改善金属/SiC欧姆接触性能；杂质分凝技术能实现对肖特基势垒的有效调制，同时还能提高界面处杂质的激活浓度，进...; 李志强徐星亮李俊焘张林代刚; 文献传递

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李志强