刘宇阳
- 作品数：22 被引量：14H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 碳热还原法制备V_2O_3的研究被引量：1
- 2016年
- 采用V_2O_5和C粉为原料制备了V_2O_3粉体。通过热力学计算证实了反应的可行性,研究了不同的V_2O_5∶C配比及合成温度对产物组成的影响。结果表明：当V_2O_5∶C配比为3∶4,1 000℃保温2h后,得到的产物中有少量VO_2和C相存在;将产物进一步球磨混合,1 000℃保温1h后可以获得较纯的V_2O_3相。粉体颗粒为不规则状,粒度在1～30μm。
- 孙静彭程石志霞白雪刘宇阳李文良
- 关键词：固相反应碳热还原
- 非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备被引量：3
- 2019年
- 采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As_2GeTe_4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As_2GeTe_4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5. 46 g·cm^(-3),达混合理论密度的99. 5%,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.
- 潘兴浩储茂友王星明刘宇阳白雪桂涛张朝
- 关键词：非晶半导体粉体靶材致密化
- 一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法
- 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB<Sub>2</Sub>粉体，再将自蔓延法制备的ZrB<S...
- 王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程
- 原料处理工艺及气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响被引量：3
- 2017年
- 以ZnO和Al_2O_3粉体为原料,按照98∶2(质量比)球磨混合制备氧化锌铝(aluminum zinc oxide,AZO)粉体,通过扫描电镜和透射电镜观察粉体形貌及均匀性,确立最佳混合工艺;将混合均匀的粉体进行煅烧预处理后进行热压烧结致密化试验,通过差热法分析原料性能,阿基米德法分析靶材密度以及压汞实验分析气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响。结果表明:微纳米粉体在球磨4 hr时Al元素分布均匀性最好,煅烧前的混合粉体在差热分析过程中失重0.43%并伴随放热效应;煅烧处理后粉体形貌类球形,在差热分析实验0℃-1000℃无失重,表明挥发组分排除干净且无异常放热效应,烧结性能得到优化。采用预处理的AZO粉体在不同热压温度和保温时间下制备AZO靶材,分析热压致密过程中平均孔径和闭孔率的变化规律。由此发现:在热压致密化初级阶段(温度900℃~1100℃时),连通气孔发生合并与生长,平均孔径先稍有收缩随后迅速增大为158 nm,同时闭孔率维持在0.5%以下,靶材密度不断上升;当温度升高至1150℃时,连通孔径逐渐缩小至108 nm,大量连通气孔转为闭合状态导致闭孔率迅速上升至7.2%以上,表明体系已经进入到热压深度致密化阶段。在1150℃、18 MPa下,保温时间延长到70 min时,连通气孔合并生长同时闭孔率异常增加至7%,孔径分布范围变宽导致出现反致密化现象;当保温保压时间延长至90 min时,气孔尺寸减小到136 nm,闭孔率下降至3.7%,靶材相对密度上升到96.2%,在较低压力和较短保温时间下实现了AZO靶材的深度致密化。
- 白雪王星明储茂友刘宇阳段华英韩沧
- 关键词：热压靶材孔径煅烧
- 烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响
- 2022年
- 镁铝尖晶石透明陶瓷是一种优异的中红外材料,被广泛应用在军事领域和民用领域,具有典型的军民通用特点。本工作研究了烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响,确定了适合高质量镁铝尖晶石透明陶瓷烧结工艺路线,对加快大尺寸透明陶瓷装甲材料产业化具有重要意义。结果表明:热压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷中Li离子可能以LiAlO_(2)形式存在;热等静压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷的优先取向生长面为(311);热压和热等静压工艺制备的Mg Al_(2)O_(4)陶瓷中Al离子、Mg离子偏离化学计量配比且Al和Mg摩尔比大于2,随着热等静压压力增大,陶瓷内部小晶粒增多,同时发现MgAl_(2)O_(4)陶瓷晶粒尺寸控制在20~40μm有利于提升3~5μm平均透过率,处理温度1750℃、压力170 MPa条件下有利于提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷3~5μm波段的平均透过率,平均透过率大于85%。同时,发现热等静压烧结时间对提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷的红外透过率作用较小。
- 郭立赵永田石红春曹波刘宇阳陈观通郑安生马远飞林泉刘晓华
- 关键词：热压热等静压物相分析显微结构光学性能
- 一种锡酸镉靶材及其制备方法
- 本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>和CdSnO<Sub>3</Sub>，其中Cd<Sub>2</Sub>SnO<Su...
- 刘宇阳白雪王星明储茂友韩沧张碧田段华英
- 文献传递
- ZnO陶瓷/金属Cu钎焊接头残余应力计算
- 2015年
- 采用热弹塑性有限元分析方法,计算了方形ZnO陶瓷与金属Cu钎焊接头中残余应力的大小和分布。发现结果如下:ZnO陶瓷与金属Cu钎焊后会在接头中产生残余应力,其中ZnO陶瓷侧垂直于钎焊界面方向的轴向拉应力是影响ZnO/Cu接头性能的主要因素,轴向拉应力的最大值出现在ZnO陶瓷表面边缘靠近钎焊界面处,当钎料层厚度为0.3 mm时,拉应力在ZnO陶瓷表面边缘距ZnO/钎料层界面0.6 mm处有最大值69.75 MPa。通过钎料层不同厚度的比较计算得出,合适的钎料层厚度能降低ZnO/Cu接头的残余应力,钎料层厚度为0.1 mm时,ZnO陶瓷侧拉应力峰值最小,为30.82 MPa。此外,采用单一缺陷模型计算了钎料层中气孔缺陷的存在对ZnO陶瓷与金属Cu钎焊接头残余应力的影响。计算结果显示,气孔缺陷位于ZnO/钎料层界面时残余拉应力峰值为95.5 MPa,气孔缺陷位于Cu/钎料层界面时残余拉应力峰值为107.2 MPa,拉应力峰值相对无缺陷模型均有大幅升高。
- 刘宇阳王星明白雪李思钦孙静石志霞
- 关键词：铜残余应力有限元分析方法
- 添加剂对碳热还原反应制备ZrB_2粒径及形貌的影响被引量：2
- 2017年
- 以ZrO_2,H_3BO_3和C粉为原料,利用碳热还原反应制备ZrB_2粉体。通过X射线衍射(XRD)分析粉体物相、扫描电镜(SEM)观察粉体形貌、能谱(EDS)分析粉体成分,并对粉体进行粒度和比表面积分析,研究了B粉、ZrB_2晶种、NaCl作为添加剂对ZrB_2粉体粒径及形貌的影响。结果表明:添加适量B粉可以提高ZrB_2的生成转化率,同时减小颗粒尺寸,得到细小的ZrB_2颗粒,当B粉添加量为5%时,粉体平均粒径最小,为4.8μm;随着ZrB_2晶种含量的增加,ZrB_2粉体平均粒径增大、比表面积减小,同时颗粒形貌趋于不规则,联接与团聚现象更加严重,当ZrB_2晶种含量达到15%时,粉体平均粒径最大,为7.3μm;在NaCl作用下,ZrB_2颗粒沿某一方向生长明显,颗粒尺寸显著增大,形貌呈长条状,并且随着NaCl含量增加,颗粒生长得更加粗大,当NaCl含量为15%时,粉体平均粒径增大至9.1μm。
- 杨磊孙静桂涛刘宇阳白雪王星明
- 关键词：添加剂粒径形貌
- 一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法
- 本发明属于超高温陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高致密度ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷的制备方法。该方法具体步骤为：首先采用碳热还原法和自蔓延法分别制备ZrB<Sub>2</Sub>粉体，再将自蔓延法制备的ZrB<S...
- 王星明杨磊桂涛白雪刘宇阳储茂友彭程
- 文献传递
- 一种锡酸镉靶材及其制备方法
- 本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>和CdSnO<Sub>3</Sub>，其中Cd<Sub>2</Sub>SnO<Su...
- 刘宇阳白雪王星明储茂友韩沧张碧田段华英
- 文献传递
