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刘宇安: 作品数：15 被引量：26H指数：3; 供职机构：井冈山大学电子与信息工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科技计划项目江西省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

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1/f~γ Noise Characteristics of an n-MOSFET Under DC Hot Carrier Stress: 2008年; The 1/fγ noise characteristic parameter Sfγ model in an n-MOSFET under DC hot carrier stress is studied. A method characterizing the MOSFET abilities of an anti-hot carrier with noise parameter Sfγ is presented. The hot carrier degradation effect of n-MOSFET in high-,mid-,and low gate stresses and its 1/fγ noise feature are studied. Experimental results agree well with the developed model.; 刘宇安余晓光; 关键词：N-MOSFET

PHEMT电离辐照效应研究被引量：2: 2006年; 对PHEMT的电离辐照效应进行了研究,通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显.分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源,发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因,但辐照不会在异质结界面处引入大量的界面态,从而在微观上解释了实验结果.; 杨广林杜磊庄奕琪何亮胡瑾刘宇安; 关键词：电离辐照 PHEMT 界面态低频噪声

漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究: 2010年; 研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性。从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力。基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各系数的物理意义,给出一个较明晰的各种热载流子与缺陷相互作用产生噪声的物理图像。进行了MOSFEF的DAHC应力实验,得到了其电参数和噪声参数。实验结果和本文模型符合良好。; 刘宇安

金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/f~γ噪声相关性研究被引量：7: 2008年; 研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好.; 刘宇安杜磊包军林; 关键词：金属氧化物半导体场效应管热载流子

多层陶瓷电容的二维电子噪声研究: 2019年; 多层陶瓷电容的电子噪声对其损伤和退化很敏感,采用电子噪声对多层陶瓷电容进行可靠性表征,需建立明晰的多层陶瓷电容电子噪声模型。然而,现有模型只考虑了寄生电阻中电子涨落并没有考虑电容介质极化子的涨落,无法合理解释多层陶瓷电容的电子噪声现象。因此,本文根据多层陶瓷电容两种元激发的涨落耗散据微观机理,建立了多层陶瓷电容二维电子噪声模型;采用电子噪声的高阶统计量分析方法,对实测数据进行时-频分析,获得了多层陶瓷电容电子噪声的功率谱密度和双谱图,直观地揭示了器件中电子与极化子两种元激发涨落随温度的动态变化规律,研究了多层结构中两元激发的涨落耗散过程产生的二维电子噪声表征方法。; 刘宇安; 关键词：多层陶瓷电容高阶统计量

基于KFDD与进化算法的可逆电路优化算法: 2018年; 为降低由Kronecker功能决策图(Kronecker functional decision diagram,KFDD)综合所得可逆电路的成本,提出一种基于进化算法的可逆电路优化算法。该算法基于遗传算法模型进行设计,分别采用离散值和整型值编码KFDD输入变量的分解类型和顺序,使用所设计的遗传算子,将量子成本作为主要目标、量子位数作为次要目标进行可逆电路的优化。为解决过早收敛问题,该算法在搜索过程的前期阶段利用多个子群搜索解空间中的不同区域,在搜索过程的后期阶段将多个子群合并为整体种群,利用整体种群进行集中搜索。使用基准函数对算法进行验证的结果表明,所提出算法具有较强的全局寻优能力,有较好的结果稳定性,能够降低可逆电路的量子成本。; 卜登立刘欢刘宇安; 关键词：进化算法

氮化镓基蓝光发光二极管伽马辐照的1/f噪声表征被引量：5: 2013年; 通过电离辐照对氮化镓基蓝光发光二极管器件有源区光/暗电流产生机制的研究,建立了电离辐照减小发光二极管有效输出功率电学模型.通过电离辐照对氮化镓基蓝光发光二极管器件有源区1/f噪声影响机制的研究,建立了电离辐照增大发光二极管1/f噪声的相关性模型.在I<1μA的小注入区,空间电荷区的复合电流随辐照剂量的增加而增加.同时,随着电离辐照产生缺陷的增加,1/f噪声幅度增大.在I>1mA的大注入条件下,由于串联电阻的影响占主导地位,表面复合速率和电流随辐照剂量的增加而增加.同时,随着电离辐照产生缺陷的增加,1/f噪声幅度增大.根据辐照前后电流电压试验结果噪声测试结论,证实了实验结论与理论推导结果的一致性.在1μA; 刘宇安庄奕琪杜磊苏亚慧; 关键词：电离辐照

法拉第电磁感应定律探究实验装置: 2015年; 设计了一种探究法拉第电磁感应定律的实验装置,可以定性和定量地探究感应电动势与磁通量的变化量、磁通量的变化时间和线圈匝数之间的关系。用发光二极管的亮度和电容器的电压来表征感应电动势的大小;用磁铁的磁感应强度表征磁通量的变化量;用磁铁自由下落的高度和步进电动机的转速来表征磁通量的变化时间。; 吴常健孙心瑗刘宇安吕军强蒋达国; 关键词：感应电动势线圈匝数

VDMOS器件抗辐照性能的1/f噪声表征研究: 针对可用于航空航天的DC/DC转换器中的VDMOS器件(VerticalConduction Double Scattering Metal OxideScmiconductors)的抗辐照性能做了简单的研究。VDMOS...; 王党会杜磊包军林刘宇安; 关键词：转换器 VDMOS器件; 文献传递

铁基非晶薄带的磁感应效应被引量：7: 2009年; 研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应的影响因数。结果表明,磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当测试频率为30kHz,薄带长度为3cm,线圈匝数为300匝时,淬火态非晶薄带的磁感应效应变化幅度最大;与淬火态非晶薄带相比,退火可以提高磁感应效应变化幅度,且经300℃×1h退火后的磁感应效应变化幅度最大。; 蒋达国朱正吼刘宇安; 关键词：非晶薄带线圈匝数退火