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路晓翠

作品数：4 被引量：7H指数：2
供职机构：内蒙古师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇SINX
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇热丝
  • 1篇热丝化学气相...
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光谱

机构

  • 3篇内蒙古师范大...

作者

  • 3篇张林睿
  • 3篇周炳卿
  • 3篇张娜
  • 3篇路晓翠
  • 1篇乌仁图雅
  • 1篇高爱明

传媒

  • 1篇激光技术
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究被引量：2
2016年
为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。
张娜周炳卿张林睿路晓翠
关键词：光致发光光谱热丝化学气相沉积
氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响被引量：2
2016年
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮硅薄膜材料的带隙、结构及其发光特性的变化。结果表明:在氢气的氛围中,随着氮气流量的增加,氢原子能够对薄膜缺陷起到抑制作用,并使较低的SiH_4/N_2流量比下呈现富硅态,但却不利于硅团簇的形成。随着氮原子的掺入,Si-N键的含量增大,带隙增大,薄膜内微结构的无序度也增大,薄膜出现了硅与氮缺陷相关的缺陷态发光;随着氮原子进一步增加,出现了带尾态发光,进一步讨论了发光与结构之间的关联。这些结果有助于采用PEXVD制备富硅氮化硅对材料发光与结构特性的优化。
张林睿周炳卿张娜路晓翠乌仁图雅高爱明
关键词：等离子体化学气相沉积光致发光
衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响被引量：3
2015年
通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。
路晓翠周炳卿张林睿张娜
关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜衬底温度退火温度结构和光学性质
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