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文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇有机硅凝胶
  • 2篇增益
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇能量分辨率
  • 2篇温度系数
  • 2篇稳压二极管
  • 2篇漫反射
  • 2篇晶体
  • 2篇控制装置
  • 2篇二极管
  • 2篇复合晶体
  • 1篇等效温度
  • 1篇增益控制
  • 1篇温度补偿
  • 1篇控制方法

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇李正伟
  • 4篇刘聪展
  • 4篇张翼飞
  • 4篇李旭芳
  • 4篇路雪峰
  • 4篇张硕
  • 2篇赵建领
  • 2篇徐玉朋
  • 2篇周旭
  • 2篇许振玲

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2015
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法
本发明涉及硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法。该增益控制装置用于控制与其串联连接的硅光电倍增管的增益,包括串联连接的可控电压源和至少一个稳压二极管,可控电压源包括至少一个输入端子,稳压二极管工作于击穿状态,并...
李正伟徐玉朋刘聪展李旭芳张翼飞赵建领路雪峰许振玲周旭张硕常治
文献传递
复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器
本申请公开了一种复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器,包覆方法包括:对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光,确保NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体洁净透亮;将NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体...
张翼飞刘聪展路雪峰李旭芳李正伟张硕常治高鹤高冠华
硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法
本发明涉及硅光电倍增管的增益控制装置、系统及增益控制方法。该增益控制装置用于控制与其串联连接的硅光电倍增管的增益,包括串联连接的可控电压源和至少一个稳压二极管,可控电压源包括至少一个输入端子,稳压二极管工作于击穿状态,并...
李正伟徐玉朋刘聪展李旭芳张翼飞赵建领路雪峰许振玲周旭张硕常治
复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器
本申请公开了一种复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器,包覆方法包括:对NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体的表面进行打磨、抛光,确保NaI(Tl)晶体和CsI(Na)晶体洁净透亮;将NaI(Tl)晶体、CsI(Na)晶体...
张翼飞刘聪展路雪峰李旭芳李正伟张硕常治高鹤高冠华
文献传递
共1页<1>
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