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张莉莉

作品数：31 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金王宽诚敎育基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 31篇纳米
  • 28篇碳纳米管
  • 28篇纳米管
  • 17篇单壁
  • 17篇单壁碳纳米管
  • 13篇催化
  • 12篇催化剂
  • 8篇金属
  • 7篇气相沉积
  • 7篇化学气相
  • 7篇化学气相沉积
  • 6篇金属催化剂
  • 6篇金属性
  • 6篇拉曼
  • 6篇拉曼光谱
  • 6篇光谱
  • 5篇晶面
  • 5篇高通量
  • 5篇常压化学气相...
  • 4篇阵列

机构

  • 31篇中国科学院金...
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 31篇张莉莉
  • 28篇刘畅
  • 27篇成会明
  • 12篇侯鹏翔
  • 9篇李鑫
  • 3篇汤代明
  • 2篇石超
  • 1篇周光敏
  • 1篇李峰
  • 1篇喻万景
  • 1篇张艳丽
  • 1篇刘岗
  • 1篇刘畅
  • 1篇翁哲

传媒

  • 2篇新型炭材料
  • 1篇金属学报
  • 1篇新型炭材料（...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 5篇2025
  • 5篇2024
  • 4篇2023
  • 6篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法。以尖晶石为基底，采用嵌段共聚物自组装方法制备尺寸均一的金属氧化物纳米团簇；利用尖晶石基底对催化剂纳米颗粒的固溶和钉扎作用...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉成会明
一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法
本发明涉及高通量制备碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法。采用组合掩模板辅助离子束镀膜，在基底上沉积不同组分的催化剂阵列，利用化学气相沉积方法优化反应参数生长碳纳米管垂直...
张莉莉高张丹吉忠海刘畅成会明
不同形貌纳米炭/聚苯胺复合材料对超级电容器电化学性能的影响(英文)被引量：8
2011年
通过原位化学聚合制备了不同形貌的纳米炭材料(炭黑,碳纳米管及石墨烯纳米片)/聚苯胺复合电极材料。分析表明:石墨烯/聚苯胺复合材料相比于炭黑/聚苯胺、碳纳米管/聚苯胺复合物及纯聚苯胺,具有产率和比容量高,内阻低及明显提高的循环稳定性和倍率性能。石墨烯/聚苯胺复合材料更好的电化学性能归因于:(a)二维平面结构石墨烯有利于大量聚苯胺在其表面均匀沉积及更多的活性位使聚苯胺和电解液离子接触,从而有利于聚苯胺得失电子促使氧化还原反应的顺利进行;(b)石墨烯间的面接触有利于构建电子的快速传输网络使电极材料具有更低的电阻;(c)石墨烯及聚苯胺层层堆叠结构具有柔性包覆限制作用,可有效防止聚苯胺在充放电过程中因膨胀和收缩而从石墨烯表面脱离。
周光敏王大伟李峰张莉莉翁哲成会明
关键词：纳米炭碳纳米管聚苯胺超级电容器
一种控制生长高结晶度、大直径双壁碳纳米管垂直阵列的方法
本发明涉及碳纳米管有序宏观体可控制备领域，具体为一种控制生长高结晶度、大直径双壁碳纳米管垂直阵列的方法。该方法通过设计金属催化剂的成分并调控其厚度，获得催化剂纳米颗粒；通过低温碳氢等离子体预处理，在催化剂纳米颗粒中“预溶...
张莉莉吉忠海刘畅成会明
一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法
本发明涉及高通量制备碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种高通量筛选工艺参数优化碳纳米管垂直阵列高度和质量的方法。采用组合掩模板辅助离子束镀膜，在基底上沉积不同组分的催化剂阵列，利用化学气相沉积方法优化反应参数生长碳纳米管垂直...
张莉莉高张丹吉忠海刘畅成会明
一种粒径均一且可调的小尺寸过渡金属纳米颗粒的制备方法
本发明涉及纳米颗粒的可控制备领域，具体为一种粒径均一且可调的小尺寸过渡金属纳米颗粒的制备方法。将表面包含过渡金属层的担载体在高温气氛中退火，通过设计筛选反应体系，包括过渡金属和担载体的种类和厚度等，优化退火气氛和工艺，快...
张莉莉 张佳阳刘畅
一种高效生长密度可控单壁碳纳米管平行阵列的方法
本发明涉及单壁碳纳米管水平阵列的可控制备领域，具体为一种高效生长密度可控单壁碳纳米管平行阵列的方法。将表面含有过渡金属的单晶氧化物基片在含有生长控制剂的混合气氛中退火，退火过程包括过渡金属催化剂纳米颗粒形成阶段和单壁碳纳...
张莉莉张佳阳刘畅
一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法
本发明涉及单壁碳纳米管网络形貌可控制备领域，具体为一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法。选择铝酸镁尖晶石MgAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底的(100)、(110)和(111...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉石超成会明
非金属氧化硅为催化剂优先生长金属性单壁碳纳米管方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接可控制备领域，具体为一种以非金属氧化硅为催化剂优先生长金属性单壁碳纳米管的方法，以Ar离子束物理沉积法，在带有纳米二氧化硅热氧化层的硅基底上沉积氧化硅膜，通过控制预处理条件，实现纳米颗粒...
刘畅张莉莉侯鹏翔成会明
一种调控晶面台阶宽度控制单壁碳纳米管水平阵列密度的方法
本发明涉及单壁碳纳米管水平阵列可控制备领域，具体一种调控晶面台阶宽度控制单壁碳纳米管水平阵列密度的方法。选择氧化锆基底(1 1 0)晶面，通过热处理调控氧化锆基底的原子台阶宽度，热处理的温度为775～900℃，保温时间为...
刘畅李鑫侯鹏翔张峰张莉莉成会明
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