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袁圣越

作品数：7 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇振荡器
  • 2篇滤波器
  • 2篇功耗
  • 2篇CMOS
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低功耗CMO...
  • 1篇低通
  • 1篇低通滤波
  • 1篇低通滤波器
  • 1篇低压差
  • 1篇低压差线性稳...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电路
  • 1篇电容
  • 1篇调制

机构

  • 7篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学

作者

  • 7篇田彤
  • 7篇袁圣越
  • 2篇刘宏
  • 2篇汪明亮
  • 2篇丁博文
  • 2篇赵辰
  • 1篇袁晨
  • 1篇马建平
  • 1篇李小飞
  • 1篇张伟

传媒

  • 3篇电子设计工程
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种新型低功耗C类压控振荡器设计被引量：1
2018年
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计一种应用于物联网系统射频前端的新型C类超低功耗压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO),VCO起振后通过动态偏置环路将其锁定在C类状态。动态偏置环路包含幅度检测器、锁存器、反相器和偏置控制器等模块,动态偏置环路自动改变偏置电压并关闭动态偏置环路,将VCO从初始的AB类锁定在C类稳定工作。通过后仿真验证,在0.6 V电压供电下,功耗低至0.5 m W;中心频率为2.4 GHz时,在频偏100 k Hz和1 m Hz处的相位噪声分别为-96.1 d Bc/Hz和-115 d Bc/Hz;VCO输出频率的调谐范围为2.33~2.49 GHz,且线性度较高,FOM达到-186。
赵阳袁圣越赵辰田彤
关键词：压控振荡器低功耗物联网
一款应用于UHF RFID阅读器接收机的自动增益控制电路被引量：1
2016年
基于UMC65nm CMOS工艺,实现了一款应用于超高频(UHF)射频识别(RFID)阅读器接收机的自动增益控制电路,系统由可变增益放大器、峰值检测电路、环路滤波器、比较器以及指数增益控制电路组成.仿真结果表明,当控制信号从0.85V变化至0.35V时,可变增益放大器的增益从4dB线性变化到70dB,具有10 MHz恒定的-3dB带宽,对于60%调制深度,调制频率为1kHz的幅度调制信号,系统需要20μs稳定输出电压,电路工作电压为1.2V,消耗总电流为6.6mA.
马建平袁晨袁圣越田彤
关键词：超高频自动增益控制可变增益放大器环路滤波器
带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计被引量：6
2015年
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。
李小飞刘宏袁圣越汪明亮田彤
关键词：低功耗温度补偿系统设计
一种快速建立的低噪声带隙基准源设计与实现被引量：6
2021年
基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.
伍锡安章泽臣袁圣越田彤
关键词：低噪声带隙基准源低通滤波器
一种用于相控阵/MIMO雷达的相位控制系统
本发明涉及一种用于相控阵/MIMO雷达的相位控制系统，包括基带信号扩频聚合部分、发射端信号解扩滤波部分和辐射端上变频放大发射部分；所述基带信号扩频聚合部分用于对多路数字相位调制信号进行编码，并将编码后的信号聚合为一路信号...
田彤丁博文汪明亮袁圣越刘宏
文献传递
一种共面波导的统一物理模型
2017年
共面波导因其优越的性能,在毫米波电路设计中得到广泛应用。本文提出了一种基于工艺和物理尺寸参数的,综合考虑各种高频寄生效应,针对不同结构共面波导的统一物理模型。该模型包括由R-L阶梯组成的串联部分和由电容、C-R-C支路和C-L-R支路组成的并联部分。基于UMC 65 nm CMOS工艺设计和测试了3种不同结构的共面波导,结果显示所建立的模型仿真得到的S参数和特征参数与测试结果相吻合。
盛心懿丁博文赵辰袁圣越田彤
关键词：CMOS共面波导
一种高电源抑制比无片外电容LDO设计被引量：6
2018年
设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比(PSR)无片外电容CMOS低压差线性稳压器(LDO)。基于对全频段电源抑制比的详细分析,提出了一种PSR增强电路模块,使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB;加入串联RC补偿网络,保证了电路的稳定性;在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块,降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真,整个芯片面积为0.028 mm2,仿真结果表明,本文设计的LDO的相位裕度为86.8°,在100 kHz处,PSR为-84.4 dB,输出噪声为8.3n V/Hz,在1 MHz处,PSRR为-50.6 dB,输出噪声为6.9 nV Hz,适合为噪声敏感的射频电路供电。
张伟袁圣越田彤
关键词：微电子学低压差线性稳压器无片外电容
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