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秦瑞锋

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电极
  • 4篇感器
  • 4篇PN结
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇电池
  • 2篇氧化亚锡
  • 2篇生物传感
  • 2篇生物传感器
  • 2篇生物分子
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇探测器
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇晶体管
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇分子

机构

  • 6篇中国科学院宁...

作者

  • 6篇罗浩
  • 6篇梁凌燕
  • 6篇曹鸿涛
  • 6篇秦瑞锋
  • 4篇李秀霞
  • 4篇张胜男
  • 2篇刘权
  • 2篇王妹

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种氮化锌锡pn结及其制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡pn结及其制备方法,该pn结包括紧密接触的p型半导体和n型半导体,以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极,其特征在于,所述的p型半导体的材料为Si,所述的n型半导体的材料为Z...
梁凌燕秦瑞锋曹鸿涛张胜男李秀霞罗浩
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法,该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层,其中,所述n型Si半导体层上设置有第一电极;所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种氮化锌锡pn结及其制备方法
本发明公开了一种氮化锌锡pn结及其制备方法,该pn结包括紧密接触的p型半导体和n型半导体,以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极,其特征在于,所述的p型半导体的材料为Si,所述的n型半导体的材料为Z...
梁凌燕秦瑞锋曹鸿涛张胜男李秀霞罗浩
文献传递
一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法,薄膜晶体管生物传感器结构包括:薄膜晶体管;生物敏感器;联结导体。该薄膜晶体管生物传感器结构的显著特征在于:薄膜晶体管与生物敏感器相分离。此分离式结构一方面避免了直接在晶体...
梁凌燕张胜男曹鸿涛王妹罗浩秦瑞锋
文献传递
pn结及其制备方法
本发明公开了一种pn结及其制备方法,该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层,其中,所述n型Si半导体层上设置有第一电极;所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。本发明的pn结有...
梁凌燕李秀霞曹鸿涛罗浩刘权秦瑞锋
文献传递
一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管生物传感器及其制备方法,薄膜晶体管生物传感器结构包括:薄膜晶体管;生物敏感器;联结导体。该薄膜晶体管生物传感器结构的显著特征在于:薄膜晶体管与生物敏感器相分离。此分离式结构一方面避免了直接在晶体...
梁凌燕张胜男曹鸿涛王妹罗浩秦瑞锋
共1页<1>
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