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刘光波

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇光电
  • 3篇纳米
  • 3篇催化
  • 2篇电解
  • 2篇电解水
  • 2篇电器件
  • 2篇氧化硅
  • 2篇异质结
  • 2篇原子尺度
  • 2篇制氢
  • 2篇制氢催化剂
  • 2篇石英
  • 2篇石英管
  • 2篇实心球
  • 2篇气相沉积
  • 2篇切换装置
  • 2篇纳米片
  • 2篇快速切换装置
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积

机构

  • 10篇哈尔滨工业大...

作者

  • 10篇刘光波
  • 8篇胡平安
  • 6篇郑威
  • 5篇冯伟
  • 5篇陈晓爽
  • 4篇张甲
  • 2篇曹文武
  • 2篇邱云峰
  • 1篇李中华

传媒

  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二维层状材料光电性能调控及器件
二维层状无机材料在未来纳米电子和光学器件具有广泛的应用潜力。二维层状的结构与光电性能的调控是该领域的核心研究内容之一。我们发展通过参杂、界面调控、异质结等方法调控二维层状材料的光电性质并构筑其高性能的器件。
胡平安冯伟郑威刘光波张甲邱云峰
关键词：光电器件
二维层状材料光电性能调控及器件
二维层状无机材料在未来纳米电子和光学器件具有广泛的应用潜力。二维层状的结构与光电性能的调控是该领域的核心研究内容之一。我们发展通过参杂、界面调控、异质结等方法调控二维层状材料的光电性质并构筑其高性能的器件。具体有:研发出...
胡平安冯伟郑威刘光波张甲邱云峰
关键词：光电器件
文献传递
一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法
本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括...
胡平安张甲陈晓爽郑威冯伟刘光波
垂直二维SnS2纳米的可控生长及其高效的光电分解水性能
目前,二维材料光电极主要是通过将液相剥离的样品旋涂于导电衬底而制得。本文,我们通过改良的化学气相沉积法直接在导电衬底上首次实现了可控制备大规模垂直生长的SnS2纳米片。在光电化学测试中发现,SnS2纳米片光电极在360 ...
刘光波陈晓爽郑威冯伟李中华胡平安
关键词：化学气相沉积
文献传递
一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法
本发明提供了一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法，属于电催化材料的制备方法技术领域。一、制备直径为430纳米的单分散二氧化硅实心球；二、将制备得到的二氧化硅小球有规则的组装排列在空气和水的界面上，单分散二氧化...
胡平安陈晓爽胡文平刘光波曹文武
文献传递
一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法
本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括...
胡平安张甲陈晓爽郑威冯伟刘光波
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二维锡基纳米材料的制备及电/光电催化性能研究
近年来，随着二维纳米材料的兴起，二维锡基纳米材料(如：SnS2、SnSe2和SnO2等)作为其中的一个重要分支得益于其优异的物理化学性质、丰富的储量和环境友好等特点获得了人们的广泛关注和研究。如今，二维锡基纳米材料，特别...
刘光波
关键词：纳米材料二氧化锡化学气相沉积法
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基于单晶二维压电材料的自驱动压力传感器及制备方法
本发明提供了一种基于单晶二维压电材料的自驱动压力传感器及制备方法，属于传感器技术领域。本发明中金电极直接接触二维压电材料纳米片，聚二甲基硅氧烷柔性衬底提供支撑，银浆用于连接金电极和导线，导线作为外电路测试时的电极。制备方...
胡平安戴明金郑威刘光波陈洪宇
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一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法
本发明提供了一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法，属于电催化材料的制备方法技术领域。一、制备直径为430纳米的单分散二氧化硅实心球；二、将制备得到的二氧化硅小球有规则的组装排列在空气和水的界面上，单分散二氧化...
胡平安陈晓爽胡文平刘光波曹文武
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基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器及制备方法
本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起...
胡平安刘光波李中华陈晓爽郑威冯伟戴明金
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