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李丹

作品数:15 被引量:45H指数:4
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金国家部委资助项目更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理理学机械工程更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇动力工程及工...
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 5篇汽油
  • 5篇汽油机
  • 4篇单晶
  • 3篇晶体管
  • 3篇光电
  • 3篇硅单晶
  • 3篇滚流
  • 2篇单晶生长
  • 2篇电器件
  • 2篇振荡器
  • 2篇直拉法
  • 2篇燃烧
  • 2篇位错
  • 2篇进气
  • 2篇进气道
  • 2篇光电器件
  • 2篇光电双基区晶...
  • 2篇负阻
  • 2篇缸内
  • 1篇带隙基准

机构

  • 11篇天津大学
  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 15篇李丹
  • 6篇冯洪庆
  • 6篇刘德新
  • 5篇刘锋
  • 4篇韩焕鹏
  • 4篇李树荣
  • 4篇于吉超
  • 3篇王世援
  • 2篇周传月
  • 2篇李万众
  • 2篇郭维廉
  • 2篇郑云光
  • 2篇毛陆虹
  • 2篇王富田
  • 2篇夏克军
  • 1篇史继祥
  • 1篇王亚杰
  • 1篇刘书亮
  • 1篇吴磊
  • 1篇熊树生

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇天津大学学报
  • 1篇燃烧科学与技...
  • 1篇天津科技
  • 1篇车用发动机
  • 1篇实验力学
  • 1篇内燃机工程
  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
重掺磷硅单晶生长技术研究被引量:2
2009年
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3~1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
刘锋韩焕鹏李丹王富田李方王世援
关键词:硅单晶位错
一种新型结构的光电负阻器件被引量:2
2003年
提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异 ,同时两个NPN管电流放大系数相差较大 ,最终导致器件负阻现象的出现 .文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟 ,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论 ,初步建立了器件模型 .
李丹李树荣夏克军郭维廉郑云光
关键词:光电器件负阻晶体管
空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
关键词:抗辐照加固
文献传递
汽油机燃烧室内温度场测量的激光剪切干涉法被引量:4
2004年
采用激光剪切干涉法测量了汽油机燃烧室内的温度场,并分析了剪切干涉法测温的基本原理,推导出利用干涉条纹图求解温度分布的关系式。在一台二冲程火花点火发动机上设置石英窗和信号同步系统,建立了适合高速摄影的激光剪切干涉测量装置。通过改变剪切干涉量,测取发动机燃烧室内干涉条纹图,从而获得缸内燃烧的二维温度场。结果表明,激光剪切干涉法抗振性强,光路简单可靠,可以进行高速摄像,是研究内燃机燃烧过程的有效方法。从温度场可以看出,燃烧过程中缸内大致可分为三个区,即已燃区、未燃区和燃烧区,具有不同的温度分布和温度梯度。燃烧区温度最高,温度梯度大;已燃区温度次之,梯度较小;未燃区温度最低,但梯度较大。
刘德新李丹冯洪庆傅茂林熊树生
关键词:温度梯度激光高速摄影燃烧室燃烧过程汽油机
利用三效催化器控制汽油机稀薄燃烧NO_x的排放被引量:3
2005年
为降低汽油机稀薄燃烧NOx排放,研究了采用三效催化器的控制策略,分析了三效催化器在略高于当量 空燃比的稀薄燃烧条件下对NOx转化效率急剧下降的原因,从而提出了在较高空燃比的稀薄燃烧条件下利用三效 催化器控制稀薄燃烧NOx排放的策略,并进行了试验研究.在对三效催化器储氧机理分析基础上,进一步提出了一 种在空燃比浓稀变换条件下利用三效催化器控制NOx排放的策略,该策略大大降低稀薄燃烧汽油机的NOx排放; 通过试验对浓稀循环数和浓稀比例进行了优化.结果表明,稀薄燃烧时NOx转化效率可达45%,稳态NOx排放可 降至200×10-6以下.
冯洪庆徐廷献刘德新于吉超李丹
关键词:汽油机稀薄燃烧NOX排放三效催化器
一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源被引量:5
2006年
采用0.5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源.其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1.5 V的低电源电压下工作.该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点.模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40~140℃的范围内温度系数可达到1.9×10-5/℃,电路总功耗为37.627 5 μW.
李树荣李丹王亚杰姚素英
关键词:CMOS带隙基准电压源低压
太阳能级单晶炉热场的适应性改造研究被引量:4
2014年
在JRDL-900型太阳能级单晶炉上安装自行设计的350 mm(14英寸)密闭式热场,替换原有的500 mm(20英寸)热场,使该单晶炉具备了半导体级75~150 mm(3~6英寸)常用硅单晶的生长条件。根据单晶炉实际情况,重新设定了单晶生长控制程序,实现半导体级硅单晶等径生长自动控制。在拉晶实验过程中,发现并解决了影响单晶生长的设备和技术问题,成功实现了半导体级100 mm(4英寸)硅单晶的生长,对单晶成品的相应参数测试表明,使用该类太阳能级单晶炉,通过炉体和热场的改进,能够实现半导体级产品的生产,可有效利用闲置设备和资源,并为今后该类型的大规模改造和生产奠定了技术基础。
韩焕鹏刘锋周传月李丹
光电双基区晶体管的工作机理被引量:1
2003年
通过分析光电双基区晶体管 (PDUBAT)内部载流子的二维传输过程 ,获得它的物理模型 ,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论 ,并依此模型给出了它的等效电路 ,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的 .结合这些计算结果 ,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程 .给出了起振电压 (输出电流峰值电压 )、振荡频率随光强变化的关系式 。
夏克军李树荣李丹郑云光毛陆虹郭维廉
关键词:振荡器负阻光电器件
SiGe合金单晶生长研究被引量:1
2009年
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%~12.92%、Φ为50~60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。
刘锋毛陆虹韩焕鹏王义猛李丹何秀坤
关键词:单晶生长直拉法位错密度
内燃机缸内近壁气流速度及温度分布特性的数值分析被引量:3
2004年
为解决内燃机缸内近壁处的气体流动和传热问题,研究了内燃机缸内近壁处的气流温度和速度分布特性.以二维可压缩平面边界层流动方程为基础,根据准稳态能量定律的假设,以F因子作为修正系数,建立了曲面边界层的二维模型,并计算了温度和速度边界层在曲面上的分布.结果表明:热边界层和速度边界层的厚度数量级均为10-3m;壁面温度高处热边界层厚,反之较薄;气流速度梯度较大处速度边界层薄,反之较厚.计算结果得到了激光实验测量结果的验证.
刘德新冯洪庆李万众于吉超李丹
关键词:热边界层内燃机气流
共2页<12>
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