王志宽
- 作品数：14 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：贵州省重大科技专项计划项目国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 高压功率半导体器件及其制造方法
- 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电...
- 谭开洲肖添李孝权徐学良王颖江永清王育新李光波王鹏飞裴颖吴健李儒章王志宽邱盛张培健张正元刘玉奎
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究被引量：1
- 2010年
- 提出了一种实用的高压BiCMOS工艺。该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件。NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压为37 V;齐纳二极管在25μA时其反向击穿电压为5.5 V。使用该工艺,研制了一款低压差线性稳压器(LDO),基准源静态电流小于1.5μA。该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制。
- 唐昭焕刘勇王志宽谭开洲杨永晖胡永贵
- 关键词：BICMOS工艺低压差线性稳压器
- 一种适用于高压双极工艺的单晶深槽介质隔离技术研究
- 通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0.5nA，隔离击穿耐压高达150V，完全满足器件隔离要求。采用...
- 梁涛税国华王志宽李小刚
- 关键词：集成电路双极工艺
- 一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法
- 本发明涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管，包括依次相接的多晶硅热栅、基区、外延层、埋层、衬底，以及电极。多晶硅热栅为带开口的圆环形，位于基区中心，发射极电极位于多晶硅热栅圆环中心。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PN...
- 马武英王志宽欧阳晓平税国华何宝平缑石龙
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 二十四所半导体工艺技术发展历程与展望被引量：1
- 2008年
- 回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程。晶圆尺寸从1.5吋(40 mm)到6吋(150 mm),特征线宽从10μm到0.5μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件。从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程。最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景。
- 何开全王志宽钟怡
- 关键词：半导体工艺双极CMOSVDMOSBICMOSSOI
- 高压功率半导体器件及其制造方法
- 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电...
- 谭开洲肖添李孝权徐学良王颖江永清王育新李光波王鹏飞裴颖吴健李儒章王志宽邱盛张培健张正元刘玉奎
- 亚微米BiCMOS RF BJT的工艺设计与优化
- 以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题与优化策略。通过对器件结构和工艺的优化,在0.8um BiCMOS工艺中集成的NP...
- 钟怡王志宽何开全李荣强许生健梁涛
- 关键词：双极性晶体管参数整定
- 文献传递
