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曹继华

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：天津工程师范大学更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火
  • 1篇英文
  • 1篇热退火
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒生长
  • 1篇溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇PECVD
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇X

机构

  • 2篇天津工程师范...
  • 1篇复旦大学

作者

  • 2篇王光伟
  • 2篇张建民
  • 2篇曹继华
  • 1篇马兴兵
  • 1篇茹国平
  • 1篇李炳宗
  • 1篇郑宏兴

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应被引量：1
2006年
分别在n-Si（100）和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜，用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15％～16％，对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响，采用X射线衍射确定薄膜物相，发现在同样退火条件下，SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度，通过曲线拟合，得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数，推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程。
王光伟茹国平张建民曹继华李炳宗
关键词：离子束溅射晶粒生长半导体材料
SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
2007年
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
王光伟郑宏兴马兴兵张建民曹继华
关键词：热退火
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