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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱被引量：5: 1999年; 研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电离阈值与铜受主、ＥＬ３和氧施主间的可能联系，并研究了Ｍ１带与ＧａＡｓ场效应晶体管漏－源电流光响应特性的关系。; 杨瑞霞胡恺生周智慧周智慧; 关键词：光电流谱场效应晶体管砷化镓

砷化镓衬底与MESFET中深能级研究: 2001年; 用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系。; 郭小兵周智慧胡恺生张绵; 关键词：砷化镓衬底场效应晶体管深能级

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郭小兵