顾红红
- 作品数：14 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- S波段10%带宽高平均功率多注速调管的研制进展
- 本文报道了中国科学院电子学研究所在S波段宽频带高功率多注速调管方面的研究进展。该多注速调管峰值功率500 kW,平均功率30 kW,瞬时相对带宽为10%,是电子所目前宽带多注速调管中平均功率最大的一种管型。最大的挑战为实...
- 高冬平张兆传丁耀根沈斌丁海兵张志强曹静顾红红王彩英王峰
- 关键词：多注速调管高平均功率宽频带
- 文献传递
- C波段大功率单注速调管的研制
- 本文介绍了由中科院电子所研制的C波段、峰值功率1.2MW、平均功率12kW的大功率单注速调管的设计和测试结果。试制管0101#对带内频点进行测试,等输出12kW的情况下,效率达到了33.6%,增益为50.6dB～60.8...
- 薛明顾红红柳长余刘铁山
- 关键词：C波段平均功率
- 文献传递
- S波段10%带宽高平均功率多注速调管的研制进展
- 本文报道了中国科学院电子学研究所在S波段宽频带高功率多注速调管方面的研究进展。该多注速调管峰值功率500kW,平均功率30kW,瞬时相对带宽为10%,是我所目前宽带多注速调管中平均功率最大的一种管型。最大的挑战为实现宽频...
- 高冬平张兆传丁耀根沈斌丁海兵张志强曹静顾红红王彩英王峰
- 关键词：多注速调管高平均功率宽频带
- 文献传递
- C波段400kW多注速调管的研制
- 本文简要介绍了中科院电子所研制的C波段、峰值功率400kW多注速调管的设计计算及测试结果。实测0102号管带内11个频点,脉冲输出功率为420～425kW,增益为43.4～50.2dB,效率30.9%～31.3%;性能达...
- 顾红红高冬平薛明王峰刘铁山
- 关键词：C波段峰值功率多注速调管
- 文献传递
- S波段10%带宽高平均功率多注速调管的研制进展
- 本文报道了中国科学院电子学研究所在S波段宽频带高功率多注速调管方面的研究进展。该多注速调管峰值功率500 kW,平均功率30 kW,瞬时相对带宽为10%,是电子所目前宽带多注速调管中平均功率最大的一种管型。最大的挑战为实...
- 高冬平张兆传丁耀根沈斌丁海兵张志强曹静顾红红王彩英王峰
- 关键词：多注速调管高平均功率宽频带
- C波段大功率速调管
- 本实用新型提供了一种C波段大功率速调管，包括：电子注发生系统；高频段谐振腔系统，包括：高频段群聚组件，包含N个谐振腔，N≥3，对电子注发生系统产生的电子注进行多次速度与密度调制，最终形成高度群聚的电子注，携带放大的微波信...
- 顾红红薛明
- 文献传递
- S波段大功率多注速调管的研制
- 本文介绍S波段大功率多注速调管的研制情况。通过对电子枪、电子光学、输出电路、互作用段的计算,获得了符合要求的输出特性。实测结果为:在200MHz工作频带内,峰值输出功率大于1MW,平均输出功率大于20kW,效率大于40%...
- 沈斌张兆传丁耀根顾红红王彩英
- 关键词：多注速调管电子光学输出电路
- 文献传递
- 抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法
- 本发明提供了一种抑制双间隙耦合腔内2π模振荡的吸收腔装置。高吸收腔装置的双调谐吸收腔同时谐振于TM<Sub>110</Sub>模式和TM<Sub>210</Sub>模式，并通过耦合波导连接至双间隙耦合腔，能够有效地抑制双...
- 沈斌丁耀根顾红红丁海兵曹静
- 文献传递
- 激光选区熔化成形Kanthal涂层及其微波衰减特性研究
- 2020年
- 采用2种球形Kanthal合金粉末(颗粒直径45~60μm和50~70μm),通过激光选区熔化(selective laser melting,SLM)技术制备Kanthal涂层。利用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和谐振腔特性测量系统对Kanthal粉末及涂层的表面形貌、显微组织、相结构和谐振腔品质因子进行检测分析。结果表明:SLM成形Kanthal涂层具有表面粗糙、多孔结构、扁平化的特点,与无氧铜基金属结合牢固,形成了冶金结合界面。其中45~60μm球形合金粉末SLM成形涂层加载谐振腔品质因子(quality factor)Q值整体比50~70μm粉末成形涂层的Q值低,在频率2985 MHz下微波衰减特性更强。涂层成形过程中形成的Al2O3膜和微孔洞使得合金涂层能够散射微波,减少了对微波的反射。涂层厚度对微波有干涉损耗,厚度0.55 mm的Kanthal涂层加载谐振腔Q值最小,达到2280。Kanthal涂层是以磁衰减为主的复合衰减材料。
- 王博锋张永清张永清张兆传顾红红顾红红梁源高向阳
- 关键词：Q值
- 阴极发射不足引发微波管高压击穿现象的研究被引量：1
- 2017年
- 关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述。本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强度;找出了阴极边缘产生发射不足的原因;分析了发射不足对阴极发射点处电场分布的影响;论述了阴极边缘发射不足引发高压击穿的机理。研究表明,阴极边缘发射不足引起的发射点场增强效应、以及阴极边缘毛刺引起的场增强效应,共同作用使得微波管产生了高压击穿现象。
- 阴生毅顾红红张永清丁耀根杜锡九
- 关键词：微波管阴极高压击穿电场强度
