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卢太平

作品数：45 被引量：8H指数：2
供职机构：太原理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 22篇光电
  • 21篇光电子
  • 18篇电子器件
  • 18篇光电子器件
  • 16篇多量子阱
  • 12篇电子阻挡层
  • 12篇有源层
  • 12篇阻挡层
  • 11篇外延片
  • 11篇晶格
  • 8篇全内反射
  • 8篇晶体
  • 7篇晶格常数
  • 7篇衬底
  • 6篇光提取效率
  • 6篇GAN基LE...
  • 5篇量子效率
  • 5篇绿光
  • 5篇内量子效率
  • 4篇调制结构

机构

  • 45篇太原理工大学
  • 1篇山西飞虹微纳...

作者

  • 45篇许并社
  • 45篇卢太平
  • 31篇朱亚丹
  • 9篇董海亮
  • 9篇贾志刚
  • 8篇梁建
  • 8篇马淑芳
  • 5篇贾伟
  • 5篇李天保
  • 4篇刘旭光
  • 4篇郑静霞
  • 4篇杨永珍
  • 3篇尚林
  • 3篇李学敏
  • 2篇翟光美
  • 2篇梅伏洪
  • 2篇樊腾
  • 1篇余春燕
  • 1篇薛晋波
  • 1篇张华

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 13篇2018
  • 5篇2017
  • 13篇2016
  • 1篇2015
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于3D打印制备LED器件电极的方法
本发明属于光电子器件领域，具体为一种基于3D打印制备LED器件电极的方法。本发明将MOCVD或MBE生长的至少具有缓冲层、N型层、多周期的量子阱有源层及P型层的外延片作为基底材料，采用3D打印在P型层台面上打印ITO导电...
许并社朱亚丹卢太平赵广洲
一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法
本发明属于半导体技术领域，所述的一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法，包括在衬底上形成第一GaN层；在第一GaN层上形成Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N阻止层，x＝0.0～0.4；在Al<Su...
贾伟樊腾李天保许并社李学敏卢太平梅伏洪
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一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构
本发明属于半导体光电子材料领域，提供了一种具有应变补偿结构的InGaN量子点LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U‑GaN层、N‑GaN层、含有应变补偿结构的InGaN量子点有源区、电子阻挡...
贾志刚卢太平董海亮梁建马淑芳贾伟李天保许并社
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一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法
本发明公开了一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法，该材料结构包括依次层叠的低温GaN成核层、3D结构GaN粗糙层、金属反射层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层及P型GaN层。其中3D...
卢太平朱亚丹周小润许并社
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基于多发射峰的固态黄光碳量子点复合物及其制备方法
本发明公开了一种基于多发射峰的固态黄光碳量子点复合物及其制备方法，是以邻苯二甲酸为碳源，甲酰胺为氮源，加入或不加溶剂丙三醇，采用溶剂热法直接制备得到固态黄光碳量子点复合物荧光产物。本发明制备的固态黄光碳量子点复合物能够在...
郑静霞郑延宁杨永珍卢太平刘旭光许并社
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一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构
本发明涉及三族氮化物半导体光电子材料领域，提出了一种含有应变调制结构的多层InGaN量子点结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子点层和设置在各个InGaN量子点层之间的中间垒层，其特征在于，...
贾志刚卢太平董海亮梁建马淑芳许并社
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一种GaN基LED外延结构及其制备方法
本发明属于光电子器件领域，具体为一种GaN基LED外延结构及其制备方法。GaN基LED外延结构包括在衬底上依次层叠的自组装GaN纳米棒、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN层、...
卢太平朱亚丹赵广洲许并社
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一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法，该材料结构包括在衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/H<Sub>2</Sub>气体处理的低温GaN/高...
许并社朱亚丹卢太平周小润
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基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法。一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法，包括以下步骤：在具有的低温成核层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型Ga...
卢太平朱亚丹周小润许并社
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一种InGaN薄膜的制备方法
一种InGaN薄膜的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有外延生长高质量的InGaN薄膜中In偏析带来的表面粗糙，相分离和缺陷的问题，包括先在衬底上依次生长GaN成核层、GaN非故意掺杂缓冲层，中高温GaN层...
卢太平郑延宁朱亚丹周小润许并社
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