许玲
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 精益会计的初步应用——K公司实施精益生产案例研究
- 随着全球化经济与社会的快速发展,现代企业面对的是瞬息万变的市场环境,必须以市场为导向组织生产和经营管理。精益生产方式作为一种为适应现代社会发展而产生的现代组织管理方法,正在世界各国推广应用。在精益生产的企业中,由于会计与...
- 许玲
- 关键词：精益思想精益生产标准成本法
- 文献传递
- 非晶InGaZnO薄膜晶体管驱动OLED像素电路的仿真研究被引量：2
- 2014年
- 为解决非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其阈值电压漂移而导致的OLED电流衰减的问题,本文研究了基于a-IGZO TFT的有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路的阈值电压补偿问题。利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取后建立的SPICE仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2T1C和4T1C的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4T1C电路对阈值漂移有非常好的补偿效果,并指出增加存储电容值和驱动TFT的宽长比可有效提高OLED电流的保持能力。
- 张丽许玲董承远
- 关键词：薄膜晶体管像素电路
- 退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响被引量：2
- 2016年
- 非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。
- 许玲吴崎董承远
- 关键词：退火温度氧空位
- 高迁移率非晶氧化铟钨薄膜晶体管的研究
- 非晶氧化物半导体（Amorphous Oxide Semiconductors，AOS）被广泛认为是可以取代传统的非晶硅作为新一代显示技术的薄膜晶体管（Thin Film Transistors，TFTS）的有源层材料。...
- 许玲
- 关键词：成膜工艺退火时间载流子迁移率
- 文献传递
- 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银/钛源漏电极的研究被引量：4
- 2016年
- 为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm^2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。
- 吴崎许玲董承远
- 关键词：薄膜晶体管
