张娟
- 作品数：5 被引量：20H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院江苏省高端结构材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 2-2型BST基复合薄膜的制备及其介电性能研究被引量：2
- 2015年
- 以钛酸锶钡(BST)超薄片为基体材料,添加聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物,制备出具有较高柔性的2-2型陶瓷基复合薄膜。结果表明不同PVDF/NMP比值的复合薄膜的介电常数在所测频率范围内(100 Hz^10 MHz)均呈现出先下降,然后趋于平稳,最后再慢慢下降的趋势。不同PVDF/NMP比值薄膜的介质损耗在该频率段内均呈现出先下降后上升的趋势。当PVDF∶NMP为1∶8时,复合薄膜的综合性能达到最佳,在100 Hz时,薄膜介电常数为60,介质损耗为0.14。
- 任超刘军李永泉骆英张娟吴伟骏
- 关键词：PVDF介电常数介质损耗
- Y^(3+)掺杂高介低损耗钛酸锶钡陶瓷的研究被引量：4
- 2017年
- 为获得高介电常数低介电损耗的钛酸锶钡陶瓷,采用固相反应法制备了Y^(3+)掺杂BST_(60),BST_(65),BST_(70)陶瓷。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪,对陶瓷的微观结构和介电性能进行了测量。研究发现,Y^(3+)的掺入并未改变陶瓷母体结构,Y^(3+)在BST中形成了连续固溶体。最佳烧结温度处,随Ba/Sr比增大,晶粒尺寸增加;同一Ba/Sr比下,掺杂Y^(3+)能促进晶粒生长,由开始的平均1μm增大为3μm^4μm,尺寸连续分布,致密度提高。适量Y^(3+)掺杂有利于提高材料介电常数,降低介电损耗。当烧结温度为1450℃,Y^(3+)掺杂量为0.3%(摩尔分数)时,BST_(70)陶瓷相对密度为95.7%,介电常数最大为27891;此时BST_(65)介电常数为17811,损耗最小为0.00869,频率稳定性最好。
- 张娟刘军吴伟骏洪玮姜楠骆英
- 关键词：稀土钛酸锶钡介电常数介电损耗Y2O3
- 多孔氮化硅陶瓷的制备及应用现状被引量：10
- 2016年
- 综述了多孔氮化硅陶瓷目前的研究进展,介绍了添加造孔剂法,成型和烧结工艺中造孔法,干燥及其它工艺造孔法等方法制备多孔氮化硅陶瓷,最后展望了多孔氮化硅陶瓷在催化剂载体,气体过滤器以及航空透波材料等领域的应用。
- 吴伟骏刘军张娟姜楠洪玮
- 关键词：多孔氮化硅
- Y^(3+)掺杂BST/ZrO_2复合薄膜的制备及介电性能研究
- 2016年
- 运用溶胶-凝胶法在Si/SiO_2/Ti/Pt基底上制备了掺杂不同量的Y^(3+)的单层Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3(BST)薄膜和并联结构的BST/ZrO_2复合薄膜。研究发现:当BST溶胶中掺入了适量的Y^(3+)后,制备的单层BST的表面形貌得到改善,介电性能提高;掺杂的Y^(3+)为1mol%时单层BST薄膜介电性能最佳,介电常数为400.53;介电损耗为0.0125。BST/ZrO_2复合薄膜的电容值相对于单层BST薄膜得到明显提高,当烧结温度为750℃时,BST/ZrO_2复合薄膜综合介电性能最佳,介电常数790.12;介电损耗达到0.051。
- 姜楠刘军洪玮张娟吴伟骏林鹏飞骆英
- 关键词：溶胶-凝胶法BST薄膜介电性能
- 炭黑填充BST/PVDF复合薄膜的制备与介电性研究被引量：4
- 2015年
- 以聚偏氟乙烯(PVDF)为聚合物基体,钛酸锶钡(BST)为陶瓷相,成本低廉的导电炭黑(CB)为导电相。采用流延加低温热处理的方法制备了一系列高介电柔性复合薄膜。利用阻抗分析仪对薄膜的介电性进行了测试,结果表明,炭黑的填充能有效提高复合材料的介电性能,当体积分数接近渗流阈值6.2%时,CB/BST/PVDF复合材料的介电常数、介质损耗、电导率急剧增加。结合经典渗流理论研究了材料在渗流转变时介电性变化特征及微观机理,利用微电容模型、界面极化理论对这一现象进行解释。
- 李永泉刘军骆英任超张娟吴伟骏
- 关键词：炭黑介电性能渗流阈值
