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高照

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇热法
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米阵列
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇ZN
  • 1篇O

机构

  • 1篇西南交通大学
  • 1篇四川大学华西...

作者

  • 1篇周祚万
  • 1篇范希梅
  • 1篇张朝良
  • 1篇高照
  • 1篇李广立
  • 1篇李湘奇

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
合成ZnO纳米阵列及刺突状CuO/ZnO异质结(英文)被引量：3
2015年
采用低温水热法在掺氟Sn O2(FTO)导电玻璃表面制备Zn O纳米阵列,研究了前驱体溶液浓度摩尔配比对Zn O纳米阵列形貌、光学性能及其生长机理的影响.研究发现,随着前驱体溶液浓度摩尔配比的增加,Zn O纳米阵列形貌及光学性能也随之变化.Zn O纳米阵列高度逐渐降低,Zn O纳米阵列直径和光学带隙值大体上出现先增大后降低的趋势.而当前驱体溶液(Zn(NO3)2:环六亚甲基四胺(HMT,C6H12N4))浓度摩尔配比为5:5时,其光学禁带值(3.2 e V)接近于理论值.结果显示制备Zn O纳米阵列的最优浓度摩尔配比为5:5.随后选用最优浓度摩尔配比下制备的Zn O纳米阵列为基底,通过一种两步溶液法成功在其表面制备刺突状Cu O/Zn O异质结.从场发射扫描电镜(FE-SEM)结果中可以清楚看见,大量的Cu O纳米粒子沉积在Zn O纳米阵列表面形成刺突状异质结结构.研究发现该Cu O/Zn O纳米异质结相对于纯Zn O纳米阵列在紫外光下光催化性能明显增加.最后,讨论了Cu O/Zn O纳米异质结光催化机理.
李湘奇范庆飞李广立黄瑶翰高照范希梅张朝良周祚万
关键词：ZN水热法光学性能
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