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王文华

作品数：11 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇正电子
  • 8篇正电子湮没
  • 3篇合金
  • 2篇形状记忆
  • 2篇形状记忆合金
  • 2篇乙烯
  • 2篇预应变
  • 2篇自由体积
  • 2篇相变
  • 2篇记忆合金
  • 2篇非晶
  • 2篇丙烯
  • 2篇丙烯酸
  • 2篇丙烯酸酯
  • 1篇导体
  • 1篇液晶
  • 1篇正电
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子湮没寿...
  • 1篇砷化镓

机构

  • 11篇中国科学院
  • 4篇北京科技大学
  • 1篇北京化工大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院兰...

作者

  • 11篇王文华
  • 8篇魏龙
  • 4篇张天保
  • 3篇漆宗能
  • 2篇何流
  • 2篇王宝义
  • 2篇王耘波
  • 2篇夏瑞东
  • 2篇刘冠威
  • 2篇张树范
  • 2篇马如璋
  • 2篇郭应焕
  • 2篇刘涛
  • 1篇阎逢元
  • 1篇马创新
  • 1篇左禹
  • 1篇黄卫东
  • 1篇王佩璇
  • 1篇王天民
  • 1篇曹国辉

传媒

  • 3篇核技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇腐蚀科学与防...
  • 1篇材料工程
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2000
  • 4篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1996
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究被引量：6
1997年
用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
刘键王佩璇王耘波王文华魏龙张天保
关键词：中子辐照正电子湮没快速退火砷化镓
正电子湮没数据处理方法的改进被引量：2
1997年
将最新的基于Ｌａｐｌａｃｅ变换的大型正电子寿命无约束解谱程序ＣＯＮＴＩＮ（ＰＡＬＳ２），在保持运算精度和运算速度的条件下，成功地移植于个人微机。移植后的程序能在微机保护模式下运行，突破了ＤＯＳ６４０Ｋ内存的限制。经正电子湮没实验中常用标准样Ａｌ及典型高分子材料聚四氟乙烯寿命谱拟合验证，结果准确可靠。同时，应用移植程序对高分子液晶丙烯酸酯共聚物常温下的正电子湮没寿命谱进行解析。
王文华魏龙王天民
关键词：正电子湮没数据处理L变换
非晶态镍合金渗氢后的正电子寿命谱特征
1998年
测量了非晶态ＮｉＣｒＦｅＳｉＢ合金电化学渗氢前后的正电子寿命谱，探索氢与非晶态结构中的空位型缺陷的相互作用．合金中主要存在自由体积和空位团两种类型的缺陷，低电流渗氢对缺陷结构无明显影响，高电流渗氢导致空位团型缺陷浓度升高，但不稳定，当氢逸出后又会分解，合金结构恢复到稳定状态．
黄卫东左禹魏龙王文华
关键词：非晶态合金正电子寿命渗氢镍合金
高温超导体应力钉扎机制的正电子湮没研究被引量：5
1997年
以Y系123超导相的Eu掺杂样品为研究对象,利用正电子湮没技术,同时测量了不同掺杂成分样品的寿命谱和Doppler展宽谱,发现对于Eu掺杂的Y-123超导体,在掺杂量为30％和70％时,所形成的缺陷具有较大的应力场,对具有此类缺陷的高温氧化物超导体的钉扎机制进行了讨论,研究结果支持应力钉扎机制。
李阳王耘波唐春光马庆珠曹国辉魏龙王文华张天保
关键词：超导体高TC铕掺杂正电子湮没
微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷
2000年
采用正电子湮没寿命谱方法对空间微重力及重力条件下生长的呼银汞（MCT）材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重句条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。
魏龙王文华王宝义巨新吴忠华奎热西李毅军谈晓臣马勉军
关键词：碲镉汞红外探测材料
Fe基形状记忆合金预应变过程的正电子湮没研究
1998年
利用正电子湮没技术对一系列Ｆｅ基形状记忆合金的预应变过程进行了研究。结果显示了形变过程中不同阶段缺陷结构的变化。
夏瑞东刘涛刘冠威马如璋王文华郭应焕
关键词：形状记忆合金正电子湮没预应变
侧链型丙烯酸酯共聚物相变的正电子湮没谱研究
1996年
利用正电子湮没技术对侧链型热致高分子液晶丙烯酸酯共聚物进行了变温相变研究．除实验标识出样品的相变温度点外，根据试样中自由体积随温度的变化关系，对高分子液晶材料内部立链、侧链以及介晶基元的相变行为特点进行了探讨，并就与小分子液晶变化特点的一些不同做了解释．
王文华魏龙张天保何流张树范漆宗能
关键词：正电子湮没液晶丙烯酸酯共聚物相变
聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究被引量：2
2000年
采用正电子湮没对添加聚丙烯酸酯类（ACR）增韧粒子的聚氯乙烯（PVC）共混材料进行了研究。结果表明，随ACR比例的上升，PVC结构中氯原子的强电负性受到削弱，PVC主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增加。
马创新王宝义王文华魏龙张天保王三益徐昌华漆宗能
关键词：正电子湮没聚氯乙烯自由体积共混改性ACR
FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究
1998年
用正电子湮没技术对一系列ＦｅＭｎＳｉ基形状记忆合金的预应变过程进行了研究。结果显示形变过程中不同阶段缺陷结构的变化及其对合金成分的依赖关系，并就不同缺陷结构对合金形状记忆效应的影响进行了讨论。
夏瑞东刘涛刘冠威马如璋王文华郭应焕
关键词：形状记忆合金正电子湮没马氏体相变
手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物的正电子湮没寿命谱研究被引量：1
1998年
用正电子湮没寿命谱研究了手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物分子主链与介晶基元侧链的运动行为及相互作用。结果表明，侧链液晶基元的取向随磁场强度增加而增加，当磁场强度达到一定值后则趋于恒定。侧链介晶基元受磁场的诱导取向对分子主链运动的影响为非线性效应。
何流张树范漆宗能王佛松魏龙王文华
关键词：丙烯酸酯手性
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共2页<12>
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