徐文俊 作品数:6 被引量:8 H指数:2 供职机构: 桂林电子科技大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 广西壮族自治区自然科学基金 中国博士后科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 更多>>
湿法腐蚀制备GaN LED蓝宝石图形衬底的工艺方法研究 被引量:2 2015年 近几年来,蓝宝石图形衬底(PSS)制备工艺技术已成为国内外研究GaN基发光二极管(LED)的热点问题.该技术不仅能够降低GaN外延缺陷和位错密度,还能够有效提高LED的光提取效率.为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法,采用湿法腐蚀方式研制C面蓝宝石图形衬底;利用自主设计的高温腐蚀系统,在硫酸和磷酸配比为3:1,加热280℃的条件下,腐蚀40分钟得到深度大于2μm的规整图形结构,具有极高的图形占空比;分析了时间、温度、腐蚀深度等因素与腐蚀速率的关系,对PSS结构设计和实现具有参考意义. 徐文俊 李海鸥 李琦 翟江辉 何志毅 李思敏关键词:蓝宝石图形衬底 湿法腐蚀 腐蚀速率 GAN LED ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究 被引量:6 2015年 采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔"长草"效应有较大影响。通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500 W,反应室压强为0.4 Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 m L/min,RF功率为120 W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min。 周佳辉 常虎东 张旭芳 徐文俊 李琦 李思敏 何志毅 刘洪刚 李海鸥关键词:感应耦合等离子体 GAAS 一种周期性碗状结构模板 李海鸥 徐文俊 李思敏 李琦 首照宇 高喜 肖功利 材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为科学研究与工业开发的热门领域之一,而半导体器件技术的发展很大程度上依赖于微纳米加工技术的不断进步,半导体微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实...关键词: 基于一种纳米级表面粗化方法的GaN基LED发光效率研究 随着人类社会的发展和能源消耗的增加,全球出现能源紧缺,不合理的开发和低效率利用造成了巨大的能源浪费和严重的污染问题,合理开发和环境保护直接关系着人类的生存和可持续发展。发光二级管( LE D)作为一种新型绿色光源,具有环... 徐文俊关键词:发光效率 自组装结构 表面粗化 发光二极管 一种周期性碗状结构模板 本实用新型公开一种周期性碗状结构模板,包括基底1和位于基底1上方的二氧化硅2,二氧化硅2上部形成多个碗状的金属孔3,且这些金属孔3在二氧化硅2上部呈周期性排布。上述金属孔3呈十字排布、六方排布及其他周期性排布,其周期范围... 李海鸥 徐文俊 李思敏 李琦 首照宇 高喜 肖功利文献传递 一种周期性碗状结构模板及其制备方法 本发明公开一种周期性碗状结构模板及其制备方法,包括:在基底上沉积二氧化硅掩膜层,在其上旋涂光刻胶,制备周期性微纳米光刻胶点阵图形,在光刻胶结构上沉积一层金属薄膜,经过剥离后得到金属孔阵图形,再以金属孔阵结构为掩膜,采用湿... 李海鸥 徐文俊 李思敏 李琦 首照宇 高喜 肖功利文献传递