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高长征

作品数:2 被引量:6H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇放大器
  • 2篇封装
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇微封装
  • 1篇微型封装
  • 1篇宽带放大器
  • 1篇负反馈
  • 1篇P波段
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇场效应管放大...

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇高长征
  • 1篇郝景红
  • 1篇周全

传媒

  • 2篇半导体情报

年份

  • 2篇2001
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
微型封装P波段低噪声场效应管放大器
2001年
介绍了 0 .5~ 1 .0 GHz微波微封装低噪声场效应管放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 Serenade软件进行了 CAD设计。主要指标为 :工作频率 0 .5~ 1 .0 GHz,增益≥ 2 5 d B,增益平坦度≤± 0 .5 d B,驻波比≤ 2 .0∶ 1 ,噪声系数≤ 1 .0 d B,封装形式 TO- 8F。
周全高长征
关键词:低噪声场效应管放大器P波段微型封装
1~4GHz微封装宽带放大器被引量:6
2001年
介绍了 1~ 4GHz微波宽带微封装放大器的研制。采用负反馈的设计原理 ,利用 EESOF进行 CAD设计。主要指标为 :工作频率 1~ 4GHz,增益 1 8d B,增益平坦度 ± 0 .7d B,驻波比 2 .0∶ 1 ,1 d B压缩输出功率 1 9d Bm,封装形式 TO- 8C。
高长征郝景红
关键词:微封装宽带放大器负反馈电路设计
共1页<1>
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