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霍帅

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇电极
  • 6篇纳米
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米管
  • 5篇金属
  • 4篇碳纳米管晶体...
  • 4篇自对准
  • 4篇金属电极
  • 3篇栅介质
  • 2篇源极
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇三氧化二铝
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇漂移
  • 2篇迁移率
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇温度传感器

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇霍帅
  • 6篇吴云
  • 5篇李忠辉
  • 5篇孔月婵
  • 5篇陈堂胜
  • 4篇周建军
  • 3篇张勇
  • 2篇张东国
  • 2篇郁鑫鑫
  • 2篇孙梦龙
  • 1篇王元

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法
本申请公开了半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，包括以下步骤：Pd沉积，待腐蚀区域制备待腐蚀区域制备；预清洗；一次氧化(臭氧预处理)；二次氧化(FeCl<Sub>3</Sub>氧化)；酸洗；螯合剂后处理，在FeCl<Sub...
赵培均杨杨李忠辉霍帅张勇曹正义
通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法
本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜...
杨扬吴云周建军霍帅郁鑫鑫曹正义孔月婵陈堂胜
一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种采用碳纳米角的碳基可见‑红外光电探测器及其制备方法，包括衬底、位于衬底上的复合碳基薄膜、源电极、漏电极；所述复合碳基薄膜包括先后沉积的碳纳米管网络或阵列薄膜以及碳纳米角；所述漏电极位于所述复合碳基薄膜上或...
杨扬张勇霍帅李忠辉孔月婵陈堂胜王浩澜
基于自对准埋栅结构的二维材料场效应晶体管的制造方法
本发明是一种基于自对准埋栅结构的二维材料场效应晶体管制造方法，在高阻衬底上制备源、漏电极，用平板印刷术制备自对准区，以薄层金属将源、漏电极连接起来，之后在自对准区中用平板印刷术制备出栅电极图形，并将自对准区中连接源漏电极...
吴云周建军霍帅
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通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法
本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜...
杨扬吴云周建军霍帅郁鑫鑫曹正义孔月婵陈堂胜
文献传递
基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法
本发明公开一种基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法，具体为：1）刚性支撑层制备；2）碳纳米管阵列保护层制备；3）辅助层制备；4）全剥离揭膜；5）目标衬底贴附；6）阵列薄膜热释放转移；7）残胶清洗；8）低温退...
严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉
CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法
本发明公开了一种CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法，其中的温度传感器为层状结构，自下而上依次包括刚性导热衬底层、石墨烯层、三氧化二铝缓冲层和三氧化二铝保护层。本发明的温度传感器与现有技术相比，其有益效果...
孙梦龙吴云霍帅
文献传递
使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法
本发明公开了使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法，该方法为:1)衬底上设置碳纳米管；2)在碳纳米管上划分出源，漏极区域，并在源，漏极区域制备金属电极；3)在沟道区域上划分出栅极区域，去掉除多余的碳纳米管；...
杨扬李忠辉霍帅张东国孔月婵陈堂胜
CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法
本发明公开了一种CVD石墨烯温度传感器、传感系统及温度传感器制备方法，其中的温度传感器为层状结构，自下而上依次包括刚性导热衬底层、石墨烯层、三氧化二铝缓冲层和三氧化二铝保护层。本发明的温度传感器与现有技术相比，其有益效果...
孙梦龙吴云霍帅
使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法
本发明公开了使用SiC基材料作为衬底的碳纳米管晶体管及其制备方法，该方法为:1)衬底上设置碳纳米管；2)在碳纳米管上划分出源，漏极区域，并在源，漏极区域制备金属电极；3)在沟道区域上划分出栅极区域，去掉除多余的碳纳米管；...
杨扬李忠辉霍帅张东国孔月婵陈堂胜
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