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王嘉铭

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 10篇ALGAN
  • 6篇深紫外
  • 4篇源区
  • 4篇体质量
  • 4篇位错
  • 4篇ALN
  • 3篇外延层
  • 3篇光提取效率
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇应力
  • 2篇势垒
  • 2篇输出功率
  • 2篇退火
  • 2篇阻挡层
  • 2篇量子效率
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米点

机构

  • 17篇北京大学

作者

  • 17篇沈波
  • 17篇许福军
  • 17篇王嘉铭
  • 16篇秦志新
  • 14篇康香宁
  • 3篇张娜
  • 3篇杨志坚
  • 3篇张立胜
  • 3篇何晨光
  • 2篇孙元浩
  • 1篇唐宁
  • 1篇王明星

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法
本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件(LED)的器件结构及其制备方法。本发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体p‑n结注入结构。所述V形立体p‑n结...
许福军沈波王嘉铭郎婧康香宁秦志新
一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
文献传递
一种降低高Al组分n-AlGaN材料接触电阻的方法及应用
本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体涉及一种降低器件制造工艺中高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法及应用。所述降低高Al组分n‑AlGaN材料接触电阻的方法为在保护气体作用下，对n‑AlGaN层进行表面原子吸附及...
许福军沈波张娜王嘉铭康香宁秦志新
一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法
本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件(LED)的器件结构及其制备方法。本发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体p‑n结注入结构。所述V形立体p‑n结...
许福军沈波王嘉铭郎婧康香宁秦志新
一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
文献传递
一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用
本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S2：调整生长温度到临界生长温度，准备生长Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y</Sub>Ga<S...
许福军沈波孙元浩王嘉铭康香宁秦志新
文献传递
一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用
本发明公开一种高晶体质量AlN薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的AlN薄膜，其具有如下特征：(1)表面平整度达到0.1nm以下；(2)位错密度小于1.0×10<Sup>8</Sup>cm<Sup>‑2</Sup>。本发...
许福军沈波王嘉铭康香宁秦志新
一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用
本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S2：调整生长温度到临界生长温度，准备生长Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y</Sub>Ga<S...
许福军沈波孙元浩王嘉铭康香宁秦志新
文献传递
一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过应力释放及表面修复等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝...
许福军沈波王嘉铭冀晨郎婧康香宁唐宁秦志新
一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用
本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑A...
许福军王嘉铭沈波郎婧康香宁
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