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张严波
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37
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
文化科学
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合作作者
朱慧珑
中国科学院微电子研究所
殷华湘
中国科学院微电子研究所
杨红
中国科学院微电子研究所
赵超
中国科学院微电子研究所
钟健
中国科学院微电子研究所
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半导体器件及其制造方法
提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括:在衬底上形成的栅堆叠;在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区;自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱;以及自对准于栅堆叠下方、嵌于超陡后退阱中的补偿区...
钟健
朱慧珑
张严波
文献传递
一种N型鳍式场效应晶体管及制造方法
本发明提供了一种N型鳍式场效应晶体管,包括:衬底;鳍体,位于所述衬底上,所述鳍体包括:第一部分、第二部分,且所述第二部分材料比所述第一部分材料的电子亲和势大,电子亲和势之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压;隔离...
张严波
殷华湘
朱慧珑
赵超
文献传递
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例,半导体器件可以包括:衬底;依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层,其中,沟道层包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体...
朱慧珑
王桂磊
亨利·H·阿达姆松
张严波
朱正勇
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在半导体衬底中形成源/漏区;在半导体衬底上形成界面氧化物层;在界面氧化物层上形成高K栅介质;在高K栅介质上形成第一金属栅层;通过共形掺杂在第一金属栅层中注...
朱慧珑
徐秋霞
张严波
杨红
文献传递
P型MOSFET及其制造方法
公开了一种P型MOSFET及其制造方法。P型MOSFET的制造方法包括:在半导体衬底中形成源/漏区;在半导体衬底上形成界面氧化物层;在界面氧化物层上形成高K栅介质;在高K栅介质上形成第一金属栅层;通过共形掺杂在第一金属栅...
朱慧珑
徐秋霞
张严波
杨红
文献传递
半导体器件及其制作方法
本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括衬底、背栅、栅介质层、二维半导体材料层与两个电极,背栅设置在衬底的部分表面上;栅介质层设置在背栅的裸露表面上;二维半导体材料层设置在栅介质层的远离背栅的表面上;两个...
张青竹
殷华湘
闫江
吴振华
周章渝
秦长亮
张严波
张永奎
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SOI器件
提供了一种SOI器件。一示例器件可以包括:SOI衬底,包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层;在SOI衬底上形成的半导体器件,包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区;在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形...
朱慧珑
钟健
张严波
文献传递
一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法
本发明属于半导体集成技术领域,公开了一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成硅基光波导线条;对含有所述硅基光波导线条的衬底进行氢气退火,所述氢气退火的腔室压力为:20Torr‑1atm。本发明...
王桂磊
张严波
亨利·雷德森
李俊峰
赵超
一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法
本发明属于半导体集成技术领域,公开了一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上形成硅基光波导线条;对含有所述硅基光波导线条的衬底进行氢气退火,所述氢气退火的腔室压力为:20Torr‑1atm。本发明...
王桂磊
张严波
亨利·雷德森
李俊峰
赵超
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具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法
公开了具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法以及包括这种半导体设置的电子设备。例如,半导体设置可以包括:衬底;在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍;在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸...
朱慧珑
张严波
钟汇才
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