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高绪彬

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:通用电气公司更多>>

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇排气装置
  • 2篇坩埚
  • 2篇碲化镉
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇晶体
  • 2篇夹杂
  • 2篇覆层
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇电池
  • 1篇电压
  • 1篇电子设备
  • 1篇电阻
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶材料
  • 1篇粘合
  • 1篇粘合剂
  • 1篇前驱体

机构

  • 8篇通用电气公司

作者

  • 8篇高绪彬
  • 4篇古彦飞
  • 3篇徐悟生
  • 2篇张明龙
  • 2篇江浩川
  • 2篇吴召平
  • 2篇林川
  • 2篇张晓
  • 2篇杨佑浩
  • 2篇王丽敏
  • 1篇周宏
  • 1篇张利明

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
防止焊料进入孔内的塞堵材料及其方法
本申请公开了一种用于在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的塞堵材料,其包括:微米级金属氧化物颗粒,纳米级金属氧化物颗粒,和粘合剂。本申请还公开了一种在焊操作过程中防止焊料进入部件上孔内的方法,其包括预备呈浆状的塞堵材料,...
周宏张利明高绪彬古彦飞徐悟生周莹
文献传递
氧化含碳物质的方法、柴油颗粒捕集器和排气装置
本发明涉及氧化含碳物质的方法,其包括:将有效剂量的分子式为A<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Sub>WO<Sub>z</Sub>的催化剂与含碳物质接触;在第一温度开始氧化含碳物质,第一温度低于含碳物质在无催化剂...
林川张晓高绪彬傅琪佳杨佑浩
文献传递
生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法
本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法,该方法包括:形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场;将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过,在该过程中,坩埚内的富碲材料熔化形成...
吴召平高绪彬徐悟生江浩川张明龙
文献传递
用于处理油接触装置的方法以及相应的油接触装置
一种用于处理包含表面的油接触装置的方法包括:在所述油接触装置的所述表面施加碱金属硅酸盐覆层。一种相应的油接触装置包含:具有碱金属硅酸盐覆层的表面。
古彦飞高绪彬钟大龙杰姆斯·安东尼·鲁德韦恩·查尔斯·哈什周琰曲苗
文献传递
氧化含碳物质的方法、柴油颗粒捕集器和排气装置
本发明涉及氧化含碳物质的方法,其包括:将有效剂量的分子式为A<Sub>x</Sub>M<Sub>y</Sub>WO<Sub>z</Sub>的催化剂与含碳物质接触;在第一温度开始氧化含碳物质,第一温度低于含碳物质在无催化剂...
林川张晓高绪彬傅琪佳杨佑浩
文献传递
用于处理具有表面的装置的方法及相应装置
一种用于处理具有表面的装置的方法包括:将贵金属前驱体和磷酸铝前驱体施加于所述表面,以及,加热从而在所述表面获得含有贵金属和磷酸铝的覆层。一种相应装置包括具有含有贵金属和磷酸铝的覆层的表面。
高绪彬古彦飞钟大龙杰姆斯·安东尼·鲁德韦恩·查尔斯·哈什周琰曲苗王丽敏帕扎雅努尔·拉玛那森·萨勃拉曼尼亚
文献传递
生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法
本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法,该方法包括:形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场;将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过,在该过程中,坩埚内的富碲材料熔化形成...
吴召平高绪彬徐悟生江浩川张明龙
文献传递
用于处理具有表面的装置的方法及相应装置
一种用于处理具有表面的装置的方法包括:将贵金属前驱体和磷酸铝前驱体施加于所述表面,以及,加热从而在所述表面获得含有贵金属和磷酸铝的覆层。一种相应装置包括具有含有贵金属和磷酸铝的覆层的表面。
高绪彬古彦飞钟大龙杰姆斯·安东尼·鲁德韦恩·查尔斯·哈什周琰曲苗王丽敏帕扎雅努尔·拉玛那森·萨勃拉曼尼亚
文献传递
共1页<1>
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