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蔡伟

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 3篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇基底表面
  • 3篇掺杂
  • 2篇氮掺杂
  • 2篇氮源
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学刻蚀
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇碳氮源
  • 2篇铜箔
  • 2篇温区
  • 2篇刻蚀
  • 2篇层数
  • 2篇衬底
  • 2篇成核

机构

  • 7篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 7篇陈小源
  • 7篇方小红
  • 7篇蔡伟
  • 7篇王聪
  • 4篇杨立友

传媒

  • 1篇机械工程材料

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反...
方小红蔡伟王聪陈小源杨立友
文献传递
一种石墨烯薄膜的转移方法
本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，所述方法至少包括步骤：首先提供一金属基底，在所述金属基底表面依次形成有石墨烯薄膜、有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层，所述有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层均具有表面能或粘性；之后将所...
方小红蔡伟王聪杨立友陈小源
文献传递
化学气相沉积生长石墨烯薄膜转移方法及转移用支撑材料的研究进展被引量：5
2015年
根据化学气相沉积生长石墨烯薄膜转移过程中支撑物的不同,将转移方法分为聚合物支撑法、非聚合物支撑法以及无支撑法,重点对聚合物支撑法用支撑材料进行了分析,并对相关的转移技术进行较完整的总结,并指出了未来的研究方向。
蔡伟王聪方小红陈小源杨立友
关键词：石墨烯化学气相沉积
一种石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一铜箔；S2：对所述铜箔表面进行电化学刻蚀；S3：采用化学气相沉积法在所述铜箔表面生长石墨烯薄膜。本发明的石墨烯薄膜的制备方法针对现有方法进行改进，通过在金属铜...
王聪方小红陈小源蔡伟
文献传递
一种石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一铜箔；S2：对所述铜箔表面进行电化学刻蚀；S3：采用化学气相沉积法在所述铜箔表面生长石墨烯薄膜。本发明的石墨烯薄膜的制备方法针对现有方法进行改进，通过在金属铜...
王聪方小红陈小源蔡伟
文献传递
一种多层石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种多层石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：在生长于金属层表面的石墨烯薄膜上形成聚合物支撑层；S2：溶解金属层，并对聚合物支撑层/石墨烯薄膜进行掺杂；S3：将聚合物支撑层/石墨烯薄膜覆盖到另一生长于金属层...
王聪蔡伟方小红陈小源
文献传递
一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反...
方小红蔡伟王聪陈小源杨立友
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