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文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇显示装置
  • 3篇信号
  • 3篇信号线
  • 3篇数据线
  • 3篇图案
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  • 2篇信息动态
  • 2篇液晶
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  • 2篇液晶显示器
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  • 2篇实时监控
  • 2篇数据线接口
  • 2篇显示技术
  • 2篇显示器
  • 2篇良品率
  • 2篇接口
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层

机构

  • 11篇北京京东方光...
  • 3篇京东方科技集...

作者

  • 11篇刘还平
  • 6篇常有军
  • 4篇潘梦霄
  • 4篇周贺
  • 3篇陈磊
  • 2篇肖红玺
  • 1篇徐斌
  • 1篇范学丽
  • 1篇翁超

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇2014中国...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2012
  • 1篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
阵列基板及其制作方法、显示装置
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板上的信号线包括至少两个电性连接的导电层,当一个导电层发生断裂时,可以通过其他导电层传输信号,提高了信号线电性导通的可靠性,进而提高了显示装置的...
陈磊刘还平彭志龙代伍坤
文献传递
一种多面体结构的显示装置
本实用新型公开了一种多面体结构的显示装置,所述显示装置包括有显示独立画面或显示连续画面的多个触摸屏,所述触摸屏位于所述多面体的各个面上。采用本实用新型能够给用户提供更具有趣味性的视觉体验。
潘梦霄刘还平周贺常有军
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一种监控薄膜沉积过程异常的方法及系统
本发明公开了一种监控薄膜沉积过程异常的方法及系统,以确定在对产品进行薄膜沉积的过程中是否发生异常,从而进一步确定沉积得到的薄膜是否合格,提高对薄膜沉积后的产品进行不良检测的准确性,提高出产合格率,降低不良产品流入市场;方...
常有军潘梦霄刘还平周贺
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阵列基板及其制作方法、显示装置
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板上的信号线包括至少两个电性连接的导电层,当一个导电层发生断裂时,可以通过其他导电层传输信号,提高了信号线电性导通的可靠性,进而提高了显示装置的...
陈磊刘还平彭志龙代伍坤
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阵列基板及其制造方法
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,其中阵列基板包括:衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线;数据线与第一电极连接,沟道位于...
常有军刘还平
文献传递
一种监控薄膜沉积过程异常的方法及系统
本发明公开了一种监控薄膜沉积过程异常的方法及系统,以确定在对产品进行薄膜沉积的过程中是否发生异常,从而进一步确定沉积得到的薄膜是否合格,提高对薄膜沉积后的产品进行不良检测的准确性,提高出产合格率,降低不良产品流入市场;方...
常有军潘梦霄刘还平周贺
阵列基板及显示装置
本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及显示装置。所述阵列基板上的信号线包括至少两个电性连接的导电层,所述信号线包括栅线、数据线和公共信号线,所述栅线、数据线和公共信号线中的仅一个或任意两个或三个包括至少两个电性...
陈磊刘还平彭志龙代伍坤
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干法刻蚀设备对PR胶灰化能力研究
以02+ SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在180mtorr压力下刻蚀Glass表面PR胶.通过对TFT不同层的PR胶进行灰化刻蚀,研究干法刻蚀设备灰化能力,并通过在线电学特性测试设备EPM曲线对干法刻蚀设备灰化后的TFT...
董宜萍谢海征肖红玺徐斌刘还平
关键词:薄膜晶体管液晶显示器光刻胶
文献传递
阵列基板及其制造方法
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法,其中阵列基板包括:衬底基板以及形成在衬底基板上的数据线、第一电极、第二电极、沟道、掺杂半导体层、半导体层、栅绝缘层、像素电极、数据线接口、栅电极和栅线;数据线与第一电极连接,沟道位于...
常有军刘还平
湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究被引量:5
2016年
随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。
范学丽靖瑞宽翁超陈启省王晏酩肖红玺刘还平
关键词:TFT-LCD湿法刻蚀FICD均一性
共2页<12>
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