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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇调浆
  • 2篇摇床
  • 2篇晶须
  • 2篇反浮选
  • 2篇浮选
  • 2篇高品级
  • 2篇SIC晶须

机构

  • 2篇中国矿业大学...

作者

  • 2篇安征
  • 2篇任子敏
  • 2篇郭梦熊
  • 2篇邵绪新
  • 2篇夏云凯
  • 2篇徐桦
  • 2篇陈材

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1996
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
获得高品级SiC晶须的分离工艺
本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺,其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选,其尾矿再进行旋流器分离,或者采用正浮选处理,中矿采用旋流器组或快速摇床处理,该工艺过程进行合理组合可用...
郭梦熊徐桦安征陈材任子敏邵绪新夏云凯
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获得高品级SiC晶须的分离工艺
本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺,其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选,其尾矿再进行旋流器分离,或者采用正浮选处理,中矿采用旋流器组或快速摇床处理,该工艺过程进行合理组合可用...
郭梦熊徐桦安征陈材任子敏邵绪新夏云凯
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共1页<1>
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