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王小伟

作品数:16 被引量:0H指数:0
供职机构:国家纳米科学中心更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇电学
  • 5篇锗量子点
  • 5篇石墨
  • 5篇石墨烯
  • 5篇量子点
  • 3篇量子
  • 3篇基底
  • 2篇电导
  • 2篇电性质
  • 2篇形貌
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇栅压
  • 2篇针尖
  • 2篇数据存储
  • 2篇瞬态
  • 2篇前置放大器
  • 2篇热电势
  • 2篇热电性质
  • 2篇吸收谱
  • 2篇介质材料

机构

  • 16篇国家纳米科学...

作者

  • 16篇裘晓辉
  • 16篇王小伟
  • 7篇王锐
  • 5篇戴庆
  • 5篇李振军
  • 4篇杨晓霞
  • 4篇许应瑛
  • 4篇白冰
  • 4篇程志海
  • 3篇张冬冬
  • 3篇刘明举
  • 2篇郭延军
  • 2篇王瑞
  • 2篇曾齐斌
  • 2篇胡海
  • 2篇王婷
  • 2篇李娟

传媒

  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2010
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种存储介质材料及其制备方法和数据的存储方法
本发明提供了一种存储介质材料及其制备方法和一种数据的存储方法。所述存储介质材料包括依次层叠的基底、聚合物层和石墨层,所述石墨层的厚度不大于10纳米。采用本发明提供的存储介质材料进行数据存储,不仅能够得到存储密度更大、质量...
王锐王圣楠王小伟裘晓辉
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一种层状锗量子点材料及其制备方法
本发明提供一种层状锗量子点材料及其制备方法,该方法包括:在基片上交替沉积SiO<Sub>2</Sub>层和Ge层,并且进行退火。采用本发明的方法能够制备层状分布的Ge量子点材料。本发明提供的锗量子点材料的Ge量子点大小不...
许应瑛李振军刘明举王小伟戴庆程志海裘晓辉
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一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
本发明涉及一种锗量子点的生长方法,所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面,在界面上实现了Ge量子点的生长,避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序,简化了工艺流程;且...
李振军白冰杨晓霞王小伟许应瑛戴庆裘晓辉
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亚表面结构特征及微区宽频介电特性的测量装置
本发明公开了亚表面结构特征及微区宽频介电特性的测量装置包括:静电力显微镜,包括:导电微悬臂探针,包括导电探针部分和微悬臂部分,探针在轻敲扫描模式下对待测样品进行第一次扫描;锁相放大器,接收基准频率信号和第一次扫描过程中产...
张冬冬王小伟王锐裘晓辉
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一种处理惰性基底上石墨烯的方法
本发明公开了一种处理惰性基底上石墨烯的方法,该方法包括:将石墨烯沉浸在氢离子浓度为8-10mol/L且Mn<Sub>2</Sub>O<Sub>7</Sub>浓度为0.016-0.4重量%的水溶液中。本发明提供的处理惰性基...
王圣楠王锐王小伟裘晓辉
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一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用
本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料,所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性,在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程;本发明...
李振军白冰杨晓霞刘明举李娟胡海王小伟戴庆裘晓辉
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一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
本发明涉及一种锗量子点的生长方法,所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面,在界面上实现了Ge量子点的生长,避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序,简化了工艺流程;且...
李振军白冰杨晓霞王小伟许应瑛戴庆裘晓辉
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氧化/还原石墨烯的结构和局域电学性质研究
<正>对石墨片/石墨烯材料进行可控的氧化和还原是调整其电学性质、构造碳基纳米材料电子器件的重要手段。我们利用显微拉曼光谱和扫描探针技术研究了经化学氧化和热还原处
王圣楠王锐张冬冬曾丽金王小伟郭延军裘晓辉
关键词:石墨拉曼光谱
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一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用
本发明涉及一种硅基锗量子点复合结构材料,所述复合结构材料包括多孔硅基底和生长在所述多孔硅基底上的锗量子点。本发明采用超声增强的办法提高硅基底的腐蚀速率和孔的均匀性,在量子点生长方面采用磁控溅射和后期退火的生长过程;本发明...
李振军白冰杨晓霞刘明举李娟胡海王小伟戴庆裘晓辉
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一种石墨烯掺杂的方法及掺杂石墨烯
本发明公开了一种石墨烯掺杂的方法以及由该方法得到的掺杂石墨烯,该方法包括以下步骤:在石墨烯器件的表面石墨烯层上形成聚甲基丙烯酸甲酯薄膜;选择需要掺杂的石墨烯区域;通过原子力显微镜的导电针尖向选定的石墨烯区域导入电荷进行掺...
王小伟王锐姜星宾许应瑛程志海裘晓辉
文献传递
共2页<12>
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