宋世金
- 作品数：43 被引量：25H指数：3
- 供职机构：昆明理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金研究生项目南方电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 一种薄膜热电模块
- 本实用新型公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括：上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝...
- 虞澜宋世金刘丹丹谈文鹏胡建力刘安安
- 文献传递
- 一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器
- 本实用新型公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器，结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极，单晶基片为c轴斜切的单晶基片，单晶基片的c轴斜切角度0°<θ<30°...
- 宋世金虞澜刘安安胡建力黄杰崔凯
- Sr_3YCo_(4-x)Mg_xO_(10.5+δ)(0≤x≤0.04)多晶的制备和热电输运性质研究
- 2017年
- 采用固相反应法制备Sr_3YCo_(4-x)Mg_xO_(10.5+δ)(0≤x≤0.04)系列多晶,研究了Mg掺杂对体系结构、电输运和热电性质的影响。结果表明系列多晶为四方晶系,由于掺入的Mg^(2+)(0.066 nm)部分替代了Co^(3+/4+)(0.053 nm/0.061nm),使晶格膨胀;多晶热电势在340~830 K随温度升高而下降,且Mg掺杂对热电势影响不大,表明Mg掺杂对体系载流子浓度影响不大;多晶电阻率在100~300 K随温度升高而降低,且随着掺杂量增加电阻率降低,结合扫描电镜观察到多晶的气孔数目减少、晶粒连接紧密和热电势的结果认为Mg掺杂对体系电输运性质的影响机制主要是使气孔、晶界散射作用减弱、载流子迁移率变大,而Mg掺杂对载流子浓度的影响是次要的。
- 谈文鹏虞澜潘鹏宋世金刘丹丹
- 关键词：固相反应法电输运热电势
- 一种薄膜热电模块
- 本发明公开了一种薄膜热电模块，属于功能薄膜材料及器件领域。包括：上部N型热电臂阵列，由N型半导体薄膜在单晶衬底Ⅰ的下表面倾斜布置；下部P型热电臂阵列，由P型半导体薄膜在单晶衬底Ⅱ的上表面倾斜布置；隔离层，包括工字形绝缘隔...
- 虞澜宋世金刘丹丹谈文鹏胡建力刘安安
- 文献传递
- 一种高温热电Sr<sub>3</sub>Co<sub>4</sub>O<sub>9</sub>薄膜电阻率的调控方法
- 本发明提供一种高温热电Sr<Sub>3</Sub>Co<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>薄膜电阻率的调控方法，属于功能薄膜材料领域。本发明所述方法通过脉冲激光沉积在不同角度倾斜的单晶衬底上生长沿c轴外延的...
- 宋世金虞澜傅佳倪佳邱兴煌陈琪钟毅
- 一种调制薄膜激光感生电压的方法
- 本发明公开一种调制薄膜激光感生电压的方法，属于功能薄膜材料领域。选取c轴倾斜的单晶压电材料（如SiO<Sub>2</Sub>、单晶Si或ZnS等）作为衬底，在单晶压电衬底上生长具有激光感生电压效应的外延薄膜（如在SiO<...
- 虞澜刘安安宋世金胡建力崔凯
- 具有c轴择优的CuCr1-xMgxO2多晶的热电输运性质及Mg掺杂效应被引量：2
- 2019年
- 采用固相反应法制备了c轴择优的CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.08)系列多晶,通过X射线衍射、扫描电镜和电阻率-温度曲线、Seebeck系数-温度曲线对样品的结构、热电输运和固溶度进行表征研究。随Mg掺杂量在x=0~0.03范围内增加,多晶为铜铁矿单相结构,层状晶粒在ab面显著长大,(00l)取向因子最大达0.53,晶界和孔隙显著减少,致密度依次提高;多晶呈热激活机制的半导体电输运行为,热激活能从0.273eV下降到0.031eV,室温电导率相应提高了3~4个数量级,高温下Seebeck系数从481.2μV·K^-1减小到334.7μV·K^-1。由于声子曳引的贡献,随温度升高,掺Mg样品的Seebeck系数增大。x>0.03后,样品的热电输运性质基本保持不变,微观结构变化不大,在晶界处观察到MgCr2O4八面体尖晶石第二相,分析认为Mg掺杂的最大固溶度约为0.03。随Mg^2+替代Cr^3+的增加,在靠近价带顶的上方引入受主能级并展宽,使电输运的热激活能显著下降,空穴载流子浓度增大;同时c轴择优取向使面内的输运分量增加,这都是电导率提高的主要原因,而载流子迁移率浮动是电导率提高的次要原因。
- 崔凯虞澜刘安安秦梦宋世金沈艳
- 关键词：固溶度电导率SEEBECK系数
- Al掺杂ZnO多晶的热电输运性质研究
- 2017年
- 采用固相反应法制备了六方纤锌矿结构Zn_(1-x)Al_xO(0≤x≤0.03)系列多晶,探究了Al掺杂对ZnO多晶的微观形貌和热电输运性质的影响。结果表明,Al掺杂促使ZnO晶粒长大联结,晶界减少,x>0.003时出现在晶界分布的ZnAl_2O_4尖晶石相。掺杂后样品由ZnO的半导体行为转变为电阻率显著下降的金属行为,且x=0.003有最小的室温电阻率~1.7 mΩ·cm,主要由于掺杂使样品载流子浓度和迁移率显著提高,x=0.003时载流子浓度和迁移率为最高,分别为1.05×10^(21)cm^(-3)和20 cm^2/V·s;300~900 K下掺杂样品热电势的绝对值和功率因子均随温度升高而增大,x=0.003时有最大的室温功率因子~0.4 m W/m·K^2。综合得到ZnO中Al掺杂的饱和固溶度x≈0.003。
- 刘丹丹宋世金张雪峰谈文鹏虞澜
- 关键词：AL掺杂
- 一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。本发明两步法制备立方相Sr<Sub>3</Sub>YCo<Sub>4</Sub>O<Sub>10.5+δ</Sub>薄膜，首先制备Sr<Sub>3...
- 虞澜胡建力宋世金康冶刘安安黄杰
- 文献传递
- 一种透明热电模块的制备方法
- 本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr<Sub...
- 虞澜宋世金刘安安胡建力刘丹丹樊堃崔凯
- 文献传递
