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谷江

作品数:8 被引量:12H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 3篇振荡器
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇射频
  • 2篇射频开关
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇SOI
  • 2篇LC压控振荡...
  • 1篇带隙基准
  • 1篇导航
  • 1篇导航系统
  • 1篇低功耗
  • 1篇低损耗
  • 1篇低相位噪声
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电流
  • 1篇电流注入

机构

  • 6篇中国电子科技...
  • 3篇河北新华北集...
  • 2篇天津大学
  • 1篇兰州交通大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 8篇谷江
  • 4篇高博
  • 3篇卢东旭
  • 3篇丁理想
  • 2篇赵永瑞
  • 1篇吴洪江
  • 1篇梁龙学
  • 1篇田国平
  • 1篇毛陆虹
  • 1篇门春雷
  • 1篇耿双利

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2020
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
超高频RFID阅读器接收机射频前端电路的研究与设计
现在自动识别技术在制造、物流、销售及服务行业变得不可缺少。条形码标签在过去的几十年里使识别系统发生了重大的革命,但是由于其存储空间小,不可再编程,而且识别过程中必须可视等问题,需要新的技术来改善这些问题。近场电感耦合RF...
谷江
关键词:接收机晶体振荡器开关电容阵列
一种电流注入式零中频正交混频器被引量:6
2012年
设计了一种用于900MHz RFID阅读器的零中频正交下变频混频器,该混频器采用共跨导级正交结构,并利用电流注入技术减小噪声,在UMC0.18μmCMOS工艺下实现。整个芯片分为三部分,混频器、带隙基准以及缓冲器,总面积为1.1mm2。混频器在1.8V电压下消耗电流3.7mA,带宽范围880~940MHz,增益16.42dB,三阶截点为-4.625dBm,在100kHz处噪声系数为15.2dB。芯片能够达到阅读器的性能要求。
谷江毛陆虹门春雷
关键词:下变频混频器正交电流注入零中频
一种低插入损耗高隔离度射频开关的设计被引量:1
2020年
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz^8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗。测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300μW。该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统。
谷江谷江高博张晓朋
关键词:射频开关隔离度插入损耗
26GHz波段毫米波放大器空气腔型封装设计
2020年
针对毫米波频段放大器芯片,提出了一种基于有机封装基板和液晶聚合物盖帽的空气腔型封装结构,解决了塑封器件在毫米波频段阻抗失配、插入损耗大和热阻高等问题,且降低了封装成本。通过电磁场仿真,优化了封装管脚在毫米波频段的阻抗特性,降低了射频管脚的阻抗失配,优化了芯片焊盘与封装基板之间的键合方案,降低了封装整体的插入损耗。采用条状通孔和基板减薄方法,降低了封装结构的热阻。在24~30 GHz,封装芯片小信号增益达到21 dB,饱和输出功率达到26 dBm。与裸芯片相比,封装芯片的饱和输出功率仅损失了1 dB。芯片封装后的整体热阻为28℃/W,满足芯片可靠性应用的需求。
张晓朋吴兰高博高博崔培水谷江
关键词:液晶聚合物
基于导航系统的低功耗全集成频率综合器设计
2015年
针对双模卫星导航接收系统对集成度、功耗和面积的需求,研究了频率综合器的电路结构和频率规划,分析了频率综合器环路的参数设计,实现了片上集成环路滤波器,版图采用MIM和MOS电容堆叠的方式节省了面积,电容电阻采用了加权的方式,使环路带宽可调。采用高速TSPC结构的D触发器构成双模预分频器,降低了整体电路的功耗。利用基于0.18μm RF CMOS工艺实现了低功耗全集成的频率综合器,芯片面积0.88 mm2,功耗18.5 m W,相位噪声-94 d Bc/Hz@100 k Hz,杂散-68 d Bc。测试结果证明了该电路系统参数设计和结构改进是合理和有效的,各参数性能满足系统要求。
卢东旭高博耿双利田国平谷江丁理想赵永瑞
关键词:频率综合器低功耗全集成环路滤波器预分频器
宽带LC压控振荡器的相位噪声优化设计被引量:3
2015年
采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声。采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响。测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 k Hz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 d Bc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求。
丁理想吴洪江卢东旭谷江赵永瑞
关键词:品质因数噪声滤波宽带
一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关被引量:1
2020年
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置。采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W。在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB。在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB。该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站。
谷江谷江高博丁理想李沛鸣
关键词:射频开关基站
用于低相位噪声LC VCO的低噪声可调LDO的设计被引量:1
2016年
分析了LC压控振荡器(VCO)的相位噪声,提出了基于预稳压模块的低噪声低压差线性稳压器(LDO)结构,有效改善了电源噪声对LC VCO相位噪声的影响。设计了低噪声带隙基准电路和低噪声误差放大器,进一步优化LDO的输出噪声。通过调节反馈阻抗网络实现LDO输出电压可调,可以满足VCO的不同供电需求。通过改变滤波电容值,验证电源噪声对LC VCO的影响。采用0.35μm CMOS工艺进行了流片,测试结果表明,LDO在10 Hz^100 k Hz之间的输出均方根噪声电压为8.8μV,在-45~85℃温度范围内的温度系数约为43×10-6/℃;LC VCO输出频率范围为2.0~2.4 GHz,调谐范围为18.2%,相位噪声为-110.8 d Bc/Hz@100 k Hz,满足集成锁相环对LC VCO的噪声要求。
梁龙学史亚盼谷江卢东旭
关键词:低噪声LC压控振荡器相位噪声带隙基准
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