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GaN／Al2O3（0001）的匹配机制及氮化的作用: 1998年; 在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。; 徐科郑文莉等; 关键词：氮化 GAN MOCVD 晶格匹配外延膜氮化镓

新型紫外双折射晶体高温相偏硼酸钡 (α-BaB_2O_4)的人工合成被引量：4: 2000年; 简要报道了新型双折射晶体高温相偏硼酸钡α－ＢａＢ２Ｏ４晶体在国内外属首次的人工合成，与天然方解石、钒酸钇作了比较，测试了５３２ｎｍ的折射率α－ＢａＢ２Ｏ４晶体是一种理想的紫外双折射晶体。; 周国清徐军陈杏达陈伟李红军徐科干福熹; 关键词：提拉法双折射晶体

LiAlO2晶体位错特征的X射线形貌分析: 1998年; 徐科田玉莲等

LiGaO2晶体的压电特性和缺陷的X射线貌相研究: 1998年; 徐科田玉莲等; 关键词：压电特性位错

两种新型衬底材料LiAlO_2和LiGaO_2晶体的腐蚀形貌和缺陷研究被引量：12: 1998年; ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２是目前找到的和ＧａＮ晶格失配率最小的两种晶体，其失配率分别为１．４％和０．２％．本研究分别利用温梯法和提拉法成功地生长出了ＬｉＡｌＯ２和ＬｉＧａＯ２单晶．通过化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜和Ｘ射线衍射貌相术对两种晶体中的缺陷特征进行了分析，研究了晶体特性、生长方法和缺陷形成的关系．用温梯法生长的ＬｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡、包裹物．ＬｉＡｌＯ２晶体中的位错密度约为３．８×１０４—６．０×１０４／ｃｍ２，晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌，可能是由于温度场不稳定及生长速率太快造成的．而用普通的提拉法生长的ＬｉＧａＯ２晶体由于原料按非化学计量比挥发，致使组分偏离，容易产生γ－Ｇａ２Ｏ３包裹物，包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用，往往形成平行于（００１）面的亚晶界，通过调整原料配比及生长工艺参数可克服上述问题．测得ＬｉＧａＯ２晶体的位错密度为７．０×１０５—９．２×１０５／ｃｍ２．; 徐科邓佩珍徐军周永宗周永宗蒋树声刘文军; 关键词：衬底材料晶体

GaN外延衬底LiGaO_2晶体的生长和缺陷被引量：4: 1998年; ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响。ＬｉＧａＯ２晶体在〈１００〉方向生长速率最快，在〈００１〉方向上生长较慢。由于原料按非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ｇａ２Ｏ３包裹物。包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用，往往形成平行于（００１）面的亚晶界。通过调整原料配比、生长工艺参数可克服上述问题。; 徐科徐军周国清董俊邓佩珍; 关键词：晶体生长 GAN

温梯法Al_2O_3晶体位错形貌分析被引量：2: 1999年; 用温度梯度法（ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧｒａｄｉｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅ，简称温梯法或ＴＧＴ法），定向籽晶［０００１］方向，生长出１１０ｍｍ ×８０ｍｍＡｌ２Ｏ３单晶，晶体完整、透明。采用硼酸钠玻璃液作为Ａｌ２Ｏ３晶体的化学抛光和化学腐蚀剂，观察了晶体不同部位处（０００１）、（１１２０）晶片的化学腐蚀形貌相，（０００１）切片的位错腐蚀坑呈三角形，位错密度为２ ×１０３～３ ×１０３／ｃｍ２；（１１２０）切片位错腐蚀坑呈菱形，位错密度为７×１０３～８ ×１０３／ｃｍ２；而且等径生长部位的完整性比放肩处高。利用同步辐射Ｘ射线白光衍射实验分析了（０００１）晶片的（２０２１），（１１０１）和（０２２１）衍射面内的位错组态。确定了两组位错线的Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量，温梯法生长的Ａｌ２Ｏ３晶体中的位错主要是刃型位错。; 周国清徐军邓佩珍徐科周永宗干福熹朱人元田玉莲蒋建华王洲光; 关键词：位错温梯法形貌

温梯法生长φ110mm×80mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析被引量：20: 1999年; 利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ）生长了１１０ｍｍ ×８０ｍｍ的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况，发现在晶体放肩处的（１１２０）面位错密度约为１０４ｃｍ－２量级，等径生长过程中靠近晶体中心处（０００１）面位错密度为（３～４） ×１０３ｃｍ－２，靠近坩埚壁处（０００１）面晶体位错密度为（５～６） ×１０３ｃｍ－２．用同样方法分析了提拉法（Ｃｚ）生长的５０ｍｍ ×８０ｍｍ蓝宝石晶体的位错．相比而言，ＴＧＴ法生长的Ａｌ２Ｏ３位错密度比Ｃｚ法的Ａｌ２Ｏ３晶体低得多，约低一个数量级，ＴＧＴ法可以生长大尺寸、高完整性的Ａｌ２Ｏ３晶体，这与ＴＧＴ法的特殊生长工艺有密切关系．; 周国清徐科邓佩珍徐军周永宗干福熹朱人元; 关键词：温度梯度法位错腐蚀坑晶体生长晶体

新型蓝光衬底材料LiAlO_2晶体的生长和缺陷分析被引量：8: 1998年; ＬｉＡｌＯ２和ＧａＮ的晶格失配率只有１．４％，是一种很有希望的ＧａＮ外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的ＬｉＡｌＯ２单晶，并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射Ｘ射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明：ＬｉＡｌＯ２在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时，是沿（１００）方向生长。用温度梯度法生长的ＬｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡和包裹物。在ＬｉＡｌＯ２（１００）晶面上测得的位错密度为（３．８～６．０）×１０４ｃｍ－２，晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构，可能是由于温场不稳定、生长速率太快造成的。; 徐科邓佩珍周永宗周国清徐军; 关键词：晶体生长

衬底材料LiGaO_2与LiAlO_2晶体的生长及缺陷分析被引量：1: 1997年; 衬底材料ＬｉＧａＯ２与ＬｉＡｌＯ２晶体的生长及缺陷分析徐科徐军周永宗邓佩珍（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＤｅｆｅｃｔｓｏｆＳｕｂｓｔｒａｔｅＭａｔｅｒｉａｌｓＬｉＧａＯ２ａｎｄＬｉＡｌＯ２ＸｕＫ...; 徐科徐军周永宗邓佩珍; 关键词：衬底材料引上法晶体生长

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徐科

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