霍勤
- 作品数：12 被引量：0H指数：0
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- 在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
- 一种在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：（1）SiC晶片清洗；（2）将SiC晶片装入HVPE反应室中；（3）将HVPE反应室抽真空后，通入N<Sub>2</Sub>至HVPE反应室内气压升至室内实...
- 郝霄鹏田媛邵永亮吴拥中张雷戴元滨霍勤
- 文献传递
- 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
- 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN...
- 郝霄鹏张保国邵永亮吴拥中霍勤胡海啸
- 在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
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- 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法
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- 通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法
- 本发明提供一种通过制备具有N面锥形结构的衬底实现自剥离并获得自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)对GaN外延片使用化学湿法腐蚀进行Ga面腐蚀形成到达衬底的腐蚀坑...
- 郝霄鹏邵永亮张雷吴拥中戴元滨田媛霍勤
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- 通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
- 氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如AlO、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异...
- 田媛郝霄鹏吴拥中张雷邵永亮戴元滨霍勤张保国
- 关键词：氮化镓
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- 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法
- 一种利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度0.005-0.075mg/ml的六方氮化硼纳米片与溶剂的分散液；（2）将配好的分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，然后在真空干燥箱内...
- 郝霄鹏李先磊张雷邵永亮吴拥中戴元滨田媛霍勤
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- 利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法
- 一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；（2）将配好的石墨烯纳米...
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- 一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法
- 一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上外延生长一层GaN薄膜，获得MGA衬底；(2)将得到的MGA衬底进行清洗并烘干；(3)将清洗后的MGA衬底放入恒温室，蓝宝石面朝向激...
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- 通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
- 氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如Al2O3、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN...
- 田媛郝霄鹏吴拥中张雷邵永亮戴元滨霍勤张保国
- 关键词：氮化镓
