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闫德宝

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇晶圆
  • 3篇硅晶
  • 3篇硅晶圆
  • 3篇亚表面
  • 2篇亚表面损伤层
  • 2篇损伤层
  • 2篇抛光
  • 2篇金属板
  • 1篇电路
  • 1篇粘贴
  • 1篇微裂纹
  • 1篇集成电路

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇闫德宝
  • 2篇秦飞
  • 2篇安彤
  • 2篇唐亮
  • 2篇王仲康
  • 2篇孙敬龙

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
磨削减薄工艺下硅晶圆亚表面损伤层的实验研究
硅晶圆是集成电路生产中应用最广泛的衬底材料，它的质量直接影响着封装器件的性能以及可靠性。随着集成电路产业的高速发展，硅晶圆的尺寸不断增大，厚度不断减小，这使得硅晶圆更容易出现翘曲和破碎，因此，对硅晶圆的表面平整度以及表面...
闫德宝
关键词：集成电路硅晶圆
用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法
本发明公开了一种用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，它包括如下步骤：(1)将整片晶圆切割为多个样品；(2)取下任意位置样品，并将其粘贴到金属板上；(3)对粘贴好的试样进行磨削、抛光、腐蚀处理；本发明的优点在于...
秦飞闫德宝孙敬龙安彤王仲康唐亮
文献传递
用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法
本发明公开了一种用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，它包括如下步骤：(1)将整片晶圆切割为多个样品；(2)取下任意位置样品，并将其粘贴到金属板上；(3)对粘贴好的试样进行磨削、抛光、腐蚀处理；本发明的优点在于...
秦飞闫德宝孙敬龙安彤王仲康唐亮
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