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文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 14篇晶体
  • 12篇激光
  • 6篇坩埚
  • 6篇晶体生长
  • 5篇激光晶体
  • 4篇提拉法
  • 3篇温场
  • 3篇离子
  • 2篇单模
  • 2篇单模传输
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻加热
  • 2篇多晶陶瓷
  • 2篇增益
  • 2篇散热
  • 2篇散热问题
  • 2篇输出激光
  • 2篇陶瓷
  • 2篇偶数
  • 2篇热键合

机构

  • 20篇中国科学院合...

作者

  • 20篇张庆礼
  • 20篇高进云
  • 18篇刘文鹏
  • 16篇王小飞
  • 14篇殷绍唐
  • 13篇孙贵花
  • 12篇窦仁勤
  • 11篇罗建乔
  • 10篇张德明
  • 8篇孙敦陆
  • 8篇谷长江
  • 4篇李秀丽
  • 4篇孙彧
  • 3篇韩松
  • 2篇李为民
  • 1篇孙贵华

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高浓度梯度钕掺杂钆钇铝石榴石激光晶体及其制备方法
本发明公开了一种高浓度梯度钕掺杂钆钇铝石榴石激光晶体及其制备方法,在钕掺杂的钇铝石榴石激光晶体中掺入钆离子,增大基质晶格的无序度,使得钕离子较容易进入基质离子格位,有望增大钕离子的分凝系数,实现钕离子的高浓度掺杂;同时提...
窦仁勤张庆礼王小飞高进云刘文鹏
一种管状复合激光介质及其制备方法
本发明公开了一种管状复合激光介质及其制备方法,包括有n层(n为≥2的整数),由内至外第1层为管状衬底,所述管状衬底内径为0.5~50mm,壁厚为0.5~10mm,长度为1~500mm;第N层为管状薄膜(N=2,3,…,n...
刘文鹏张庆礼殷绍唐孙敦陆孙贵花罗建乔张德明王小飞窦仁勤高进云
文献传递
一种高浓度梯度钕掺杂钆钇铝石榴石激光晶体及其制备方法
本发明公开了一种高浓度梯度钕掺杂钆钇铝石榴石激光晶体及其制备方法,在钕掺杂的钇铝石榴石激光晶体中掺入钆离子,增大基质晶格的无序度,使得钕离子较容易进入基质离子格位,有望增大钕离子的分凝系数,实现钕离子的高浓度掺杂;同时提...
窦仁勤张庆礼王小飞高进云刘文鹏
一种具有高对称性、渐变浓度的激光晶体元件
本发明公开了一种具有高对称性、渐变浓度的激光晶体元件,该激光晶体元件的几何中心为对称中心,距离所述对称中心几何距离相同的点具有相同的掺杂浓度;自所述对称中心向两端,掺杂浓度呈连续变化且逐渐降低。该激光晶体元件具有高度对称...
窦仁勤张庆礼王小飞高进云刘文鹏罗建乔
一种管状复合激光介质及其制备方法
本发明公开了一种管状复合激光介质及其制备方法,包括有n层(n为≥2的整数),由内至外第1层为管状衬底,所述管状衬底内径为0.5~50mm,壁厚为0.5~10mm,长度为1~500mm;第N层为管状薄膜(N=2,3,…,n...
刘文鹏张庆礼殷绍唐孙敦陆孙贵花罗建乔张德明王小飞窦仁勤高进云
文献传递
一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法
本发明公开了一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法,属于激光晶体技术领域,包括坩埚、加热器、温场及打捞杆;所述坩埚用于盛放晶体生长原料,坩埚上部设置有带圆孔的盖片,周围由内至外设置有加热器和温场,坩埚放置于支撑板上...
刘文鹏张庆礼赵凯旋王小飞高进云窦仁勤
Pr<Sup>3+</Sup>离子掺杂的钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法
本发明公开了一种宽带吸收Pr<Sup>3+</Sup>离子掺杂的钙镁锆钆镓石榴石可见光激光晶体及其熔体法晶体生长方法,晶体的分子式为Pr<Sub>3δ</Sub>Ca<Sub>3x</Sub>Gd<Sub>3(1-x</...
刘文鹏张庆礼殷绍唐孙敦陆孙贵华罗建乔王小飞高进云
文献传递
一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法
本发明公开了一种大尺寸晶体的熔体法晶体生长方法,其特征是坩埚采用矩形坩埚,坩埚材质可以是Ir、Pt、石墨、W、Mo、Re、Ta,或者钨钼合金,或者是Ir、Pt质量占90%以上成分合金,加热方式可采用感应或者电阻加热,保温...
张庆礼王小飞孙贵花张德明谷长江李秀丽刘文鹏高进云窦仁勤孙敦陆殷绍唐
一种大尺寸复合激光增益板条元件以及制备方法
本发明属于激光晶体和固体激光器领域,具体公开一种大尺寸复合激光增益板条元件以及制备方法,本发明提出的一种大尺寸复合激光增益板条元件具有通过热键合方法键合在一起的增益层和基底层双层结构,所述的增益层为掺杂激活离子的单晶、透...
张庆礼孙贵花王小飞刘文鹏罗建乔谷长江孙敦陆殷绍唐高进云
文献传递
一种导模法生长大体积晶体的生长装置及生长方法
本发明提供了一种导模法生长大体积晶体的生长装置及生长方法。所述装置包括炉体、坩埚、生长模具与升降系统。通过低高度生长模具设计和坩埚上升,实现晶体生长过程中熔体原料的持续供料和充分利用;通过增加坩埚高度,增大坩埚原料容量,...
刘文鹏张庆礼王小飞高进云窦仁勤张德明罗建乔孙贵花孙彧谷长江黄晓娜陈肖冉
共2页<12>
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