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奚鹏程

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇半导体
  • 4篇电阻
  • 4篇氧化层
  • 4篇体效应
  • 4篇自加热
  • 4篇自加热效应
  • 4篇浮体效应
  • 4篇衬底
  • 4篇串联电阻
  • 3篇介质层
  • 3篇刻蚀
  • 2篇导体
  • 2篇低压管
  • 2篇动态范围
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇形貌
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇图像

机构

  • 13篇上海集成电路...
  • 4篇成都微光集电...
  • 3篇上海集成电路...

作者

  • 13篇奚鹏程
  • 4篇王言虹
  • 4篇范春晖
  • 2篇王伟军
  • 2篇杨冰

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2014
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体结构和制作方法
本发明公开了一种半导体结构及制作方法，半导体结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的第一介质层；形成于第一介质层中的第一接触孔；形成于第一介质层上的第二介质层；形成于第二介质层中的多层金属；其中，由多层金属中的一部分对...
顾学强奚鹏程葛星晨
文献传递
一种半导体结构和制作方法
本发明公开了一种半导体结构及制作方法，半导体结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的第一介质层；形成于第一介质层中的第一接触孔；形成于第一介质层上的第二介质层；形成于第二介质层中的多层金属；其中，由多层金属中的一部分对...
顾学强奚鹏程葛星晨
文献传递
一种高动态范围的图像传感器
一种高动态范围的图像传感器，在常规的4T全局像元结构，即在1个传输晶体管、1个复位晶体管、1个源极跟随器和1个行选晶体管组成的像元结构基础上，增加1个抗晕晶体管、1个存储电荷控制晶体管、1个电容和1个电容信号传输管，形成...
范春晖奚鹏程
一种高动态范围的图像传感器
一种高动态范围的图像传感器，在常规的4T全局像元结构，即在1个传输晶体管、1个复位晶体管、1个源极跟随器和1个行选晶体管组成的像元结构基础上，增加1个抗晕晶体管、1个存储电荷控制晶体管、1个电容和1个电容信号传输管，形成...
范春晖奚鹏程
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一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法
本发明公开了一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法，通过采用P型硅作为衬底材料，以ONO介质层作为EEPROM的存储浮栅极与控制栅极的隔离层，并将ONO层同时作为外围电路高压管的栅氧化层，而对外围电路低压管仍采...
奚鹏程杨冰
一种半导体器件结构和制备方法
本发明公开了一种半导体器件结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过背面沟槽隔离与浅沟槽隔离相连，实现了器件之间完全的介质隔离；背面沟槽隔离底部与N+源漏和P+源漏接触，消除了N+源漏与P阱、P+源漏与N阱之间的...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
文献传递
一种半导体器件的结构和形成方法
本发明公开了一种半导体器件的结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过堆叠工艺和背面沟槽工艺，使得无需使用SOI衬底，就可制造出全隔离的NMOS和PMOS器件；同时，通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金...
顾学强范春晖王言虹奚鹏程
文献传递
多晶硅膜层形貌的形成方法
本发明公开了一种多晶硅膜层形貌的形成方法，属于半导体技术领域。其包括：在衬底上形成一栅极氧化层，并在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层；对所述栅极氧化层之上的多晶硅膜层进行掺杂处理；根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布...
王伟军奚鹏程杨冰
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一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法
本发明公开了一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法，通过采用P型硅作为衬底材料，以ONO介质层作为EEPROM的存储浮栅极与控制栅极的隔离层，并将ONO介质层同时作为外围电路高压管的栅氧化层，而对外围电路低压管...
奚鹏程杨冰
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多晶硅膜层形貌的形成方法
本发明公开了一种多晶硅膜层形貌的形成方法，属于半导体技术领域。其包括：在衬底上形成一栅极氧化层，并在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层；对所述栅极氧化层之上的多晶硅膜层进行掺杂处理；根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布...
王伟军奚鹏程杨冰
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