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陈文丰

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇迁移率
  • 4篇等离子处理
  • 4篇纳米
  • 3篇迁移
  • 3篇金属
  • 3篇金属元素
  • 3篇过渡金属
  • 3篇过渡金属元素
  • 3篇掺杂
  • 2篇导电
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶薄膜
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇真空
  • 2篇真空退火
  • 2篇柔性衬底

机构

  • 11篇浙江大学

作者

  • 11篇陈文丰
  • 10篇朱丽萍
  • 6篇张翔宇
  • 4篇文震
  • 4篇万尾甜
  • 4篇许鸿斌
  • 4篇胡亮
  • 2篇郑志东
  • 2篇何海平
  • 2篇郭艳敏
  • 2篇叶志镇
  • 2篇李潘剑
  • 2篇牛文哲
  • 2篇李亚光
  • 2篇杨美佳

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法，包括溅射准备和溅射镀膜，还包括：将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理，柔性衬底的真空退火温度为50～150℃，时间为20～60min；硬质衬底的真空退火温度为...
朱丽萍张翔宇陈文丰郭艳敏
过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
文献传递
一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
文献传递
H、F掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及其性能研究
透明导电电极材料在信息科技和新能源技术中起到了很重要的作用。这些材料，尤其是透明导电氧化物(TCO)广泛应用于低发射率涂层，平板显示，薄膜太阳能电池和有机发光二极管等器件上。在这类材料中，n型掺杂的氧化锌(ZnO)具有良...
陈文丰
关键词：透明导电薄膜迁移率第一性原理共掺杂
一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
文献传递
一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜及其制备方法
本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn<Sub>1-x</Sub>(TM)<Sub>x</Sub>O；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于C...
朱丽萍胡亮陈文丰何海平叶志镇
文献传递
一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法
本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法，其中，高导电性的减反射膜为双层膜，底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜，顶层为SiO<Sub>2</Sub>薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法...
朱丽萍陈文丰李潘剑郑志东
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一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜及其制备方法
本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜，构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn<Sub>1-x</Sub>(TM)<Sub>x</Sub>O；其中，TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn，且对于Cu，0＜x＜0.03；对于C...
朱丽萍胡亮陈文丰何海平叶志镇
文献传递
一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法，包括溅射准备和溅射镀膜，还包括：将磁控溅射生长的薄膜进行真空退火处理，柔性衬底的真空退火温度为50～150℃，时间为20～60min；硬质衬底的真空退火温度为...
朱丽萍张翔宇陈文丰郭艳敏
文献传递
过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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