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金巨鹏

作品数:6 被引量:31H指数:3
供职机构:中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇探测器
  • 6篇红外
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 4篇晶格
  • 4篇INAS/G...
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  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇长波红外
  • 1篇抛物
  • 1篇热成像
  • 1篇面阵
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇光谱响应
  • 1篇红外焦平面

机构

  • 6篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇暨南大学

作者

  • 6篇金巨鹏
  • 5篇陈建新
  • 4篇徐庆庆
  • 4篇何力
  • 4篇周易
  • 4篇林春
  • 2篇刘丹
  • 2篇靳川
  • 2篇许佳佳
  • 2篇徐志成
  • 1篇王建新
  • 1篇曹妩媚
  • 1篇曹菊英
  • 1篇吴云
  • 1篇陈洪雷
  • 1篇林春
  • 1篇李天兴

传媒

  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量:5
2012年
InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。
徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力
关键词:INAS/GASB超晶格红外探测器分子束外延
长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量:11
2013年
报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力
关键词:暗电流
量子阱红外探测器峰值探测波长的精确设计与实验验证(英文)
2012年
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96~7.98μm,与设计预期值吻合.
金巨鹏刘丹陈建新林春
关键词:量子阱红外探测器GAASALGAAS峰值波长光谱响应
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器研究
本文报道了分子束外延技术生长InAs/GaSb超晶格探测器材料及其结构、表面和光学性能研究。我们采用相衬光学显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X-射线双晶衍射等方法全面研究和分析了InAs/Gasb薄膜的性能,在此基...
陈建新徐庆庆周易金巨鹏林春何力
关键词:红外探测器分子束外延
文献传递
320×256 GaAs/AlGaAs长波红外量子阱焦平面探测器被引量:12
2012年
量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟。但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍然处于起步阶段。研制了基于GaAs/AlxGa1-xAs材料、峰值响应波长为9.9μm的长波320×256 n型QWIP焦平面阵列器件,其像元中心距25μm,光敏元面积为22μm×22μm。GaAs衬底减薄后的QWIP焦平面阵列,与Si基CMOS读出电路(ROIC)通过铟柱倒焊互连,并且在65 K工作温度下进行了室温环境目标成像。该焦平面器件的规模和成像质量相比之前国内报道的结果都有较大提高。焦平面平均峰值探测率达1.5×1010cm.Hz1/2/W。
金巨鹏刘丹王建新吴云曹菊英曹妩媚林春
关键词:量子阱红外探测器GAAS/ALGAAS焦平面红外热成像
128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量:3
2012年
报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.
许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力
关键词:长波红外探测器GASB焦平面阵列
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