郭慧颖 作品数:4 被引量:5 H指数:1 供职机构: 辽宁师范大学物理与电子技术学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 辽宁省博士科研启动基金 辽宁省自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 化学工程 更多>>
衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响 被引量:1 2014年 采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V. 冯秋菊 许瑞卓 郭慧颖 徐坤 李荣 陶鹏程 梁红伟 刘佳媛 梅艺赢关键词:化学气相沉积 CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究 被引量:4 2013年 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法. 冯秋菊 蒋俊岩 唐凯 吕佳音 刘洋 李荣 郭慧颖 徐坤 宋哲 李梦轲关键词:CVD 异质结 电致发光 CVD法在图形化蓝宝石衬底和硅衬底上生长SnO2微/纳米结构及其特性研究 SnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,室温下禁带宽度为3.6eV,所以SnO是一种有前景的紫外和蓝光材料。此外,由于SnO在可见光范围透光性能优越、电阻率较低、化学物理性质稳定的优点,在气体传感器、光电器件及透明导电... 郭慧颖关键词:SNO2 文献传递 图形化蓝宝石衬底上有序微米半球形SnO_2的生长、结构和光学特性研究 2017年 利用化学气相沉积法,在图形化蓝宝石衬底上,无需引入催化剂,通过改变反应源锡粉量生长出了不同尺寸、规则排列的有序微米半球形SnO_2.测试结果表明,微米半球形SnO_2呈选择性生长特性,并且随着反应源锡粉量的增加,微米半球的直径逐渐增大,结晶质量变差.此外,随着锡粉量的增加,在吸收谱中还观测到了吸收边的红移现象.这种选用图形化衬底的制备方法为制备高密度、有序排列的SnO_2微/纳米结构提供了一种可行和有效的方法. 冯秋菊 潘德柱 邢研 石笑驰 杨毓琪 李芳 李彤彤 郭慧颖 梁红伟关键词:化学气相沉积 SNO2