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贾婉丽: 作品数：27 被引量：105H指数：7; 供职机构：西安理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重大基础研究前期研究专项更多>>; 相关领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>

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Photoshop中RGB与HSB的色彩空间转换: 2002年; 计算机显示器所显示的颜色采用RGB色彩模型,色彩的改变通过改变R、G、B三者的比例来实现,而人眼看到的颜色变化是饱和度(S)、明度(B).色度(H)三方面的变化.; 贾婉丽徐锦林; 关键词：PHOTOSHOP RGB HSB 色彩空间转换图像处理

半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟被引量：22: 2007年; 利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹波)中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟.载流子的时域空间电场分布表明:用高能量激光脉冲触发低压偏置的GaAs开关,空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功率的一个重要因素,并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性.当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发大孔径光电导天线时,空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大.; 贾婉丽纪卫莉施卫; 关键词：光电导开关 CARLO模拟

超短脉冲激光的光斑中心坐标的测量装置及方法: 本发明公开了一种超短脉冲激光的光斑中心坐标的测量装置及方法，该装置的结构是，包括固定在平移台上的光电传感器，光电传感器的阳极朝上；光电传感器与宽带示波器串联构成的电路与电容并联；电容与电阻、直流电源构成串联回路，利用上述...; 王馨梅施卫张琳侯磊贾婉丽

用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究被引量：43: 2004年; 报道了用半绝缘 Ga As材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射 THz电磁波的实验结果 .Ga As光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为 3m m,采用 Si3N4 薄膜绝缘保护 ,在 5 4 0 V直流偏置下被波长80 0 nm,脉宽 14 fs,重复频率 75 MHz,平均功率 130 m W的飞秒激光脉冲触发时产生 THz电磁波 .用电光取样测量得到了 THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布 .THz电磁波的辐射峰值位于 0 .5 THz左右 ,频谱宽度大于 2 THz,脉冲宽度约为 1ps.; 施卫张显斌贾婉丽李孟霞许景周张希成

一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法: 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发...; 王馨梅张丽妮曹瑞彬刘艳涛贾婉丽张超

光电导开关工作模式的蒙特卡罗模拟被引量：10: 2007年; 利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:当偏置电场低于耿氏电场(GaAs为4.2kV/cm)时,开关输出电脉冲呈线性模式;偏置电场超过耿氏电场但触发光脉冲能量低于光能阈值,光电导开关仍然表现出线性工作模式;当偏置电场和触发光脉冲能量都超过非线性模式("lock-on"模式)所需阈值,开关呈现非线性模式;在光子能量较高的激光脉冲触发下,开关非线性模式所需光能阈值降低.非线性工作模式源于光生载流子发生谷间散射,并在开关体内局部区域形成高场区,电场变化大,弛豫时间长,电脉冲呈现非线性.; 施卫贾婉丽纪卫莉刘锴; 关键词：光电导开关负阻效应

Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse被引量：1: 2003年; Gallium arsenide (GaAs) photoconductive semiconductor switches (PCSS's) with a 1.55mm gap spacing trigged by 1553nm femtosecond fiber laser pulse is presented.The switches are biased with 3.33～10.3kV/cm and irradiated by femtosecond fiber laser operated at a wavelength of 1553nm with pulse width of 200fs and pulse energy of 0.2nJ.The experiments show that,even if the semi-insulating GaAs photoconductive switch operates under the electrical field of 10.3kV/cm,it will be still linear response,and a clear corresponding output electric pulse with the peak voltage of 0.8mV is captured.From the weak photoconductivity on laser intensity,photoabsorption mediated by EL2 deep level defects is suggested,as the primary process for the photoconductivity.; 施卫贾婉丽

10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计被引量：2: 2019年; 漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料的漏电流。器件建模仿真显示,电、光触发区能合理分担10kV外加偏置电压,在相同的电场偏置强度下,器件的漏电流低于传统光电导开关两个数量级,而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区,使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发,提高了激光能量利用率。此外,计算分析了激光参数与器件输出特性之间的关系,以进一步提高激光利用率。; 王馨梅王慧慧张丽妮段鹏冲贾婉丽; 关键词：光电子学脉冲激光光电导开关氮化镓漏电流

光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析被引量：17: 2007年; 利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.; 贾婉丽施卫纪卫莉马德明; 关键词：光电导开关载流子寿命

GaAs光电导开关产生太赫兹电磁波的实验及理论分析: 半导体光电导开关是利用超快激光器与光电导体/(例如：Si、InP、GaAs/)相结合形成的一类新型器件。20世纪90年代初，随着超快激光脉冲技术的发展，人们发现光电导开关在受激光脉冲照射后，除体内能产生可被利用的电脉冲之...; 贾婉丽; 关键词：GAAS光电导开关偶极天线蒙特卡罗方法屏蔽效应负阻效应; 文献传递