薛丽君
- 作品数：8 被引量：33H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室基金国家自然科学基金教育部高校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VLSI金属互连电迁移1／f^γ噪声特性研究被引量：1
- 2003年
- 通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/fγ噪声的测量和分析,得到了1/fγ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/fγ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/fγ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/fγ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量.
- 薛丽君杜磊庄奕琪徐卓
- 关键词：VLSI超大规模集成电路金属互连电迁移
- VLSI金属互连线1／f^γ噪声指数与电迁移失效被引量：3
- 2003年
- 对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 .这种突变可以归因于电迁移诱发空洞形成过程的起点 ,因而是金属薄膜结构开始发生不可逆结构变化的标志 .
- 杜磊庄奕琪薛丽君
- 关键词：电迁移金属互连VLSI
- 金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f^2噪声统一模型被引量：12
- 2002年
- 应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜 1 f噪声与 1 f2 噪声的模型 .该模型表明 ,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为 1 f噪声 ,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1 f2 噪声的成分 .在电迁移应力实验中 ,观察到金属薄膜 1 fγ噪声在空洞成核前γ约为 1 0 ,一旦发生空洞成核 ,即突增至 1 6以上 。
- 杜磊庄奕琪薛丽君
- 关键词：金属薄膜电迁移自由体积
- VLSI金属互连电迁移可靠性评估技术研究被引量：1
- 2002年
- 在简要介绍电迁移失效机理的基础上,对各种电迁移可靠性实验评估方法的特点进行了分析对比,重点研究了VLSI金属互连电迁移可靠性的噪声评估技术。通过实验数据和结果的对比分析,证明噪声方法不仅可行,而且有着其他传统方法不可比拟的优越性,具有极好的应用前景。
- 薛丽君杜磊庄奕琪鲍立李伟华马中发
- 关键词：VLSI金属互连电迁移噪声测试
- 1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础被引量：9
- 2002年
- 分析了MOSFET静电损伤的机理 ,发现在静电应力期间 ,随着应力次数的增加 ,在SiO2 体内和Si/SiO2 界面同时产生潜在损伤积累 .Si/SiO2 界面较SiO2 层体内更容易产生缺陷 ,而且缺陷浓度更大 .用逾渗理论模拟了MOSFET中 1/f噪声与边界陷阱浓度的关系 ,得出了与实验相一致的定性结果 ,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流 1/f噪声检测方法提供了理论依据 .
- 马仲发庄奕琪杜磊薛丽君万长兴施超
- 关键词：MOSFET静电无损检测逾渗
- VLSI金属互连电迁移的噪声检测技术研究
- 随着微电子器件向深亚微米量级发展，超大规模集成电路封装逐步趋于小型化、密集化。作为VLSI互连线的金属薄膜的截面积越来越小，其承受的功率密度急剧增加，使得电迁移成为电路的主要失效模式之一。本论文在简要介绍电迁移失效机理、...
- 薛丽君
- 关键词：VLSI金属互连电迁移可靠性评估噪声测试
- 文献传递
- 超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究被引量：3
- 2002年
- 通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI)
- 杜磊薛丽君庄奕琪徐卓
- 关键词：超大规模集成电路金属互连线电迁移
- 气敏材料An-WO_3催化特性的物理解释被引量：4
- 2001年
- 对Ａｕ－ＷＯ３粉体材料的制备及氨敏特性进行了研究，得到材料的电阻和对氨的灵敏度随 Ａｕ含量的增加先增大，达到某一极值后减小的实验结果，本文还用透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察了Ａｕ颗粒在ＷＯ３表面的分布情况，发现Ａｕ颗粒的团聚现象。根据电子催化模型时Ａｕ在ＷＯ３表面的随机分布情况进行了计算机模拟，模拟结果与实验观测现象相符，在此基础上给出了Ａｕ 颗粒催化机理的定性物理解释。
- 王旭升薛丽君周晓华三浦则雄山添升
- 关键词：半导体气体传感器气敏机理气敏材料
