董四华
- 作品数：15 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- S波段160W功率模块设计与研制
- 目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 m...
- 董四华杨光晖刘英坤张鸿亮邓建国
- 关键词：S波段阻抗匹配晶体管优化设计
- 文献传递
- 一种L波段300W GaN脉冲功率模块
- 2024年
- 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻抗参数提取,并以此为基础设计了小型化匹配网络进行阻抗变换。基于高压驱动芯片和开关器件芯片设计了小型化高压脉冲调制电路。测试结果表明,在工作频率990~1130 MHz、工作电压50 V、脉冲宽度100μs、占空比10%下,功率模块脉冲输出功率大于300 W,功率附加效率大于53%,功率增益大于38 dB。功率模块尺寸为30 mm×30 mm×8 mm。
- 董四华刘英坤高永辉秦龙
- 关键词：L波段功率模块
- L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量：4
- 2009年
- Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
- 黄雒光董四华刘英坤郎秀兰
- 关键词：可靠性
- 重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究
- 开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改...
- 段雪董四华刘英坤田秀伟邓建国孙艳玲冯彬
- 关键词：VDMOSFET电离辐射阈值电压
- 文献传递
- 功率VDMOSFET单粒子效应研究被引量：4
- 2008年
- 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。
- 段雪郎秀兰刘英坤董四华崔占东刘忠山孙艳玲胡顺欣冯彬
- 关键词：单粒子烧毁
- L波段小型化150W GaN功率载片的研制
- 2024年
- 介绍了一种采用氮化镓(GaN)材料的L波段高增益小型化功率载片设计方法。该GaN功率载片基于高电子迁移率晶体管芯片,采用负载牵引测试技术提取大信号阻抗参数,并依据该大信号阻抗参数设计阻抗匹配电路网络。在L波段990 MHz~1130 MHz频段内,36 V直流工作电压、150μs脉冲宽度、15%占空比工作条件下,实现输出功率大于150 W、功率增益优于35 dB、功率附加效率大于52.5%的性能指标,并在20 mm×14 mm×2.8 mm的尺寸内,实现高增益、高效率的百瓦量级小型化功率载片研制目标。
- 董四华银军赵景波高永辉寇彦雨郝海飞
- 关键词：氮化镓小型化L波段
- 射频功率Trench MOSFET研制被引量：1
- 2008年
- 在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3．0A、跨导大于0．8S、阂值电压2～3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19％～43％，在175MHz、VDS=12VTN出功率Po为7W、漏极效率ηD为44％、功率增益GP为10dB。
- 苏延芬刘英坤邓建国胡顺欣冯彬董四华
- 关键词：TRENCHMOSFET导通电阻饱和压降
- P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验
- 2024年
- 氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分析,得出该微波功率器件在85℃管壳温度工作条件下的平均失效时间优于2.14×10^(6) h,其工作寿命可以满足射频整机设备应用的要求。
- 董四华高永辉银军赵景波郝海飞
- 关键词：峰值结温加速寿命试验P波段
- 微波功率LDMOS的工艺仿真及研制被引量：1
- 2007年
- 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能。
- 冯彬刘英坤孙艳玲段雪董四华
- 一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器被引量：1
- 2013年
- 研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。
- 梁勤金董四华郑强林余川
- 关键词：固态功率放大器
