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莫希朝
作品数:
5
被引量:8
H指数:1
供职机构:
南开大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
周祯华
南开大学信息技术科学学院光电子...
熊绍珍
南开大学信息技术科学学院光电子...
张建军
南开大学信息技术科学学院光电子...
孟志国
南开大学信息技术科学学院光电子...
代永平
南开大学信息技术科学学院光电子...
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机构
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南开大学
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中山大学
作者
5篇
莫希朝
4篇
熊绍珍
4篇
周祯华
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代永平
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孟志国
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张建军
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李树山
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1997
1篇
1996
2篇
1994
1篇
1993
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双栅绝缘层a-Si TFT研究
1993年
采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的,我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件,并获坡度可达30—45°的蚀刻条件。阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制,其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大,在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现,在严格控制实验条件下,可使TFT的场迁移率得以改善,相应开态电流有所增长。
孟志国
代永平
莫希朝
周祯华
张建军
熊绍珍
关键词:
TFT
双栅
迁移率
工作电流
双层膜
TFT LCD数模混合适配器
1997年
利用常见芯片加以改造设计制造了一个TFTLCD计算机显示适配器。其控制器用数字电路,而驱动器是模拟方式的,并在现有芯片基础上实现了多灰度级,还编制了较为完善的软件系统。
熊绍珍
黄宇
赵颖
王峻松
周祯华
王峻松
周祯华
关键词:
薄膜晶体管
TFTLCD
适配器
液晶显示器
高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT
被引量:8
1994年
本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(Z0V)大于10μA,I_on/Ioff在108量级,场效应迁移率可达0.79cm2/V.s.
熊绍珍
孟志国
代永平
周祯华
张建军
莫希朝
李德林
赵庚申
徐温元
关键词:
非晶硅
薄膜晶体管矩阵动态检测分析系统
莫希朝
α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展
1996年
本文全面介绍了我们在α—SiTFT—AMLCD“八五”科技攻关研究中的TFT矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的TFT—LCD研制线上,最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—SiTFT—AMLCD视频图象显示器。
孟志国
代永平
周祯华
张建军
姚仑
谷纯芝
李俊峰
吴春亚
熊绍珍
赵颖
王丽莉
徐温元
袁庆鹏
黄宇
李树山
莫希朝
马京涛
王德申
孙钟林
李庆诚
马锦
耿卫东
李德林
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赵晶
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徐寿颐
张百哲
张伟
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