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领域

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主题

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机构

  • 5篇南开大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 5篇莫希朝
  • 4篇熊绍珍
  • 4篇周祯华
  • 3篇代永平
  • 3篇孟志国
  • 3篇张建军
  • 2篇赵颖
  • 2篇徐温元
  • 2篇黄宇
  • 1篇李庆诚
  • 1篇徐寿颐
  • 1篇李俊峰
  • 1篇李德林
  • 1篇孙钟林
  • 1篇姚仑
  • 1篇吴春亚
  • 1篇王峻松
  • 1篇赵庚申
  • 1篇李树山
  • 1篇张百哲

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇现代显示
  • 1篇液晶通讯

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1993
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
双栅绝缘层a-Si TFT研究
1993年
采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的,我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件,并获坡度可达30—45°的蚀刻条件。阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制,其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大,在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现,在严格控制实验条件下,可使TFT的场迁移率得以改善,相应开态电流有所增长。
孟志国代永平莫希朝周祯华张建军熊绍珍
关键词:TFT双栅迁移率工作电流双层膜
TFT LCD数模混合适配器
1997年
利用常见芯片加以改造设计制造了一个TFTLCD计算机显示适配器。其控制器用数字电路,而驱动器是模拟方式的,并在现有芯片基础上实现了多灰度级,还编制了较为完善的软件系统。
熊绍珍黄宇赵颖王峻松周祯华王峻松周祯华
关键词:薄膜晶体管TFTLCD适配器液晶显示器
高开关比(I_(on)/I_(off))a-Si TFT被引量:8
1994年
本文报道了采用倒置交错结构(Ta/(Ta2O5)SiNx/in+a-Si/A1)的TET矩阵研究结果.其关态电流(I_off(-5V))在5—7×10 ̄-14A(对W/L=10),开态电流I_on(Z0V)大于10μA,I_on/Ioff在108量级,场效应迁移率可达0.79cm2/V.s.
熊绍珍孟志国代永平周祯华张建军莫希朝李德林赵庚申徐温元
关键词:非晶硅
薄膜晶体管矩阵动态检测分析系统
莫希朝
α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展
1996年
本文全面介绍了我们在α—SiTFT—AMLCD“八五”科技攻关研究中的TFT矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的TFT—LCD研制线上,最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—SiTFT—AMLCD视频图象显示器。
孟志国代永平周祯华张建军姚仑谷纯芝李俊峰吴春亚熊绍珍赵颖王丽莉徐温元袁庆鹏黄宇李树山莫希朝马京涛王德申孙钟林李庆诚马锦耿卫东李德林李红玉赵晶雷宗保徐寿颐张百哲张伟
关键词:完整性视频显示
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