胡少勤
- 作品数：33 被引量：87H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 65mm级Ce:YSO闪烁晶体研制与闪烁性能研究被引量：3
- 2016年
- 采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce:YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52ns,发光余辉时间为156ns。
- 王佳岑伟徐扬李德辉胡少勤付昌禄丁雨憧龙勇
- 关键词：提拉法
- 先进微陀螺器件及微惯性测量单元最新研究进展被引量：8
- 2019年
- 微纳加工技术与振动惯性技术的结合使惯性仪表技术发生了重大的变革,拓展了惯性技术在军用和民用领域的应用。高性能微惯性器件对军事装备和国民经济的发展起着越来越大的作用。该文基于美国国防高级研究计划局(DARPA)近年来在微惯性传感器技术领域的资助项目,综合研究了微机电系统(MEMS)谐振陀螺、微光学陀螺(MOG)、声表面波(SAW)陀螺等微惯性传感器技术及微惯性测量单元的最新发展现状,并对其发展面临的技术挑战进行了详细地分析与评述。
- 何杰朴继军朱玲瑞袁小平胡少勤
- 关键词：微陀螺微惯性测量单元
- 高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究被引量：8
- 1995年
- 对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。
- 陈淑芬胡少勤赵鹏冯杰
- 关键词：单晶生长相图中频感应提拉法
- 高频SAW器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究被引量：1
- 1997年
- 高频ＳＡＷ器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正（四川压电与声光技术研究所，重庆６３００６０）ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＳｕｂｂｏｕｎｄａｒｙＦｒｅｅＬｉＮｂＯ３ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＵｓｅｄｆｏｒＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎ...
- 陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正
- 关键词：压电晶体铌酸锂晶体引上法晶体生长单晶
- 坩埚下降法生长BGO晶体过程中微凸界面的控制
- 2000年
- 微凸界面生长晶体有利于避免坩埚引起的寄生成核及其它缺陷 ,从而生长出优质晶体 ,是闪烁晶体BGO较理想的生长界面。本文通过独特的温场设计制作辅以合理的生长工艺参数 ,成功地进行了闪烁晶体BGO的微凸界面生长。在生长过程中随意停止生长 ,以观察生长各阶段的界面形状。使用的下降炉为垂直两温区结构 ,采用铁铬铝丝加热 ,温区之间以陶瓷板隔热。通过在炉管外自上而下将保温材料逐渐增厚的“梯次填充法”保温 ,配合密封炉管减小热对流 ,以及在陶瓷坩埚托中心插入导热金属棒且与水冷散热器相连接 ,改善了生长界面的纵向和径向热环境。具体参数如下 :晶体尺寸5 0mm× 80mm ;生长方向 [1 1 0 ],[0 0 1 ],[1 1 1 ];下降速率 0 .3～0 .5mm/h ,界面纵向温度梯度 2 5～ 32℃ /cm。在以上条件下进行的闪烁晶体BGO生长过程中 ,界面自始至终保持了理想的微凸状 ,炉内温度波动极小 ,晶体生长界面位置移动小 ,生长出的晶体无色 ,透明度高。用QJH 3型He Ne激光光源照射无缺陷。使用X射线定向仪检测结果表明方向偏差小 ,无寄生成核等缺陷。
- 韩尧胡少勤于明晓
- 关键词：布里奇曼法
- 掺铈硅酸盐闪烁晶体设计指南
- 本指导性技术文件规定了掺饰硅酸忆噜(Ce:LYSO )、掺饰硅酸噜C Ce:LSO )、掺饰硅酸忆(Ce:YSO )等掺饰硅酸盐闪烁晶体原生晶棒和晶体产品(包括晶片、晶块形式的产品)设计流程与依据、设计内容、设计验证、设...
- 王佳胡吉海岑伟张俊石自彬汪庆欧阳廷丁雨憧杨梅胡少勤张小梅黄绪正
- Bi_(12)GeO_(20)单晶色带的成因与消除
- 2000年
- 锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表面波延迟线的理想基片材料 ,大大缩小了器件如反向栅阵列抽头延迟线 (RAC器件 )的体积 ,该器件已成功地用于机载雷达的脉冲扩展和压缩子系统中。但是 ,V .S .Dolat等在制作RAC器件时发现晶片内的色带使以此为衬底的器件出现严重的响应下降和过量插损。用静电探针测量表明 ,色带区域表面波速较正常区域的慢 ,且材料的非均匀性引起了表面波传播的严重失真。相反 ,在无色带基片上制作的RAC器件则获得了接近理论值的响应。BGO单晶色带的存在严重制约了声表面波器件的性能发挥。采用提拉法生长BGO晶体 ,分析了BGO晶体中色带的分布。色带横向分布基本上是中心对称结构 :纵向呈带状分布 ,总的表现为上疏下密。采用PHILIPSPW2 40 0X射线光谱分析仪分析了熔体挥发物的组成。两种的质量分数分别为GeO2 4.77% ,Bi2 O3 95 .2 3% ,换算成摩尔比则为 :GeO2 :Bi2 O3 =( 4.77/1 0 4.5 9) /( 95 .2 3/4 6 6 ) =1 .2 7∶6 (mol比 )而化学配比的两组分摩尔比为 1∶6。可知挥发物中GeO2 的量?
- 韩尧史榜春胡少勤张凤鸣盛敏华
- 关键词：锗酸铋晶体引上法晶体生长
- 多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面
- 2000年
- 采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。
- 韩尧胡少勤史榜春
- 关键词：温场单晶晶体生长
- ?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。
- 丁雨憧刘军冯大建李和新岑伟王佳石自彬龙勇付昌禄胡少勤
- 关键词：闪烁晶体提拉法生长光输出
- Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究被引量：15
- 2016年
- 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。
- 冯大建丁雨憧刘军李和新付昌禄胡少勤
- 关键词：闪烁晶体石榴石提拉法光输出
