白宣羽
- 作品数：18 被引量：9H指数：2
- 供职机构：西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>
- Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究
- Cu在集成电路作为内连材料时,在温度很低的情况下就能迅速向Si中扩散。Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点。由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻。为此本文采用磁控溅...
- 白宣羽汪渊徐可为
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- 基于小波变换的Cu-W薄膜表面形貌表征和纳米压入硬度值分散性评价
- 由于薄膜表面形貌变化的复杂性以及缺乏统一标准,定量描述表面和界面历来是薄膜研究的难点。在大多数情况下,描述表面的往往是一些复杂的经验公式,如Nowicki提出用32个参数和函数来表征粗糙表面。通常用灰度图像示意粗糙表面的...
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- 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展
- 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：铜扩散阻挡层集成电路互连线
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- Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
- Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡...
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：非晶电阻率纳米压入
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- 基于小波变换的磁控溅射Cu-W薄膜生长表面形貌评价
- 本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时间超过600s时才达到稳定.
- 汪渊白宣羽徐可为范多旺
- 关键词：表面形貌小波变换离散小波变换磁控溅射
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- Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
- Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡...
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：非晶电阻率纳米压入铜锆合金
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- 基于小波变换的磁控溅射Cu-W薄膜生长表面形貌评价
- 2004年
- 本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时间超过600 s时才达到稳定.
- 汪渊白宣羽徐可为范多旺
- 关键词：表面形貌小波变换
- Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射方法在 Si(111)基片上沉积 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N 的电阻率,同时比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和 Ta,TaN 的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。
- 白宣羽汪渊徐可为
- 关键词：非晶电阻率纳米压入
- 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展被引量：1
- 2004年
- 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：铜互连扩散阻挡层
- 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展
- 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：铜扩散阻挡层集成电路互连线
