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王闯

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电磁
  • 1篇电磁干扰
  • 1篇电磁干扰抑制
  • 1篇电源
  • 1篇电源转换
  • 1篇电源转换器
  • 1篇动态性能
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇预测控制
  • 1篇预测控制算法
  • 1篇直流-直流转...
  • 1篇直流转换
  • 1篇直流转换器
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇滤波
  • 1篇滤波器
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管

机构

  • 3篇西安交通大学

作者

  • 3篇李尊朝
  • 3篇王闯
  • 2篇赵丽娟
  • 1篇张莉丽
  • 1篇赵凯
  • 1篇罗诚

传媒

  • 2篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
可预测控制实现瞬态优化的数字DC-DC转换器
提出了一种利用过采样技术实现可预测控制的数字DC-DC转换器,该DC-DC转换器提高了动态性能,获得了快速的瞬态响应和较小的过冲电压.为提高瞬态响应速度并降低过冲,本文在传统的PID控制器中增加一个可预测控制部分.该可预...
赵丽娟王闯李尊朝
关键词:动态性能过采样技术
结合平衡和滤波技术抑制GaN电源转换器的电磁干扰被引量:6
2016年
针对GaN Boost型电源转换器的电磁干扰降低电源可靠性的问题,提出了一种结合阻抗平衡和滤波技术抑制GaN Boost电源转换器电磁干扰的方法。由于阻抗平衡技术利于抑制低频共模电磁干扰,而滤波技术利于抑制高频共模电磁干扰,所以将两者结合以抑制GaN Boost型电源转换器的共模电磁干扰。首先用GaN高电子迁移率晶体管搭建功率级电路;然后用耦合电感替代功率级电感,并在耦合电感的输出端加上电容以平衡寄生参数的影响;最后加入共模电感以抑制高频共模电磁干扰,综合考虑抑制效果和电路面积,合理选择滤波器共模电感值。该组合方法与阻抗平衡单项技术相比,能有效地抑制高频共模电磁干扰;与滤波器单项技术相比,减小了电路面积。仿真结果表明,抑制后与抑制前的电磁干扰相比,在200kHz^10MHz低频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量达到40~60dB;在10~30 MHz高频范围内,电源转换器的共模电磁干扰的抑制量约为80dB。
赵凯王闯李尊朝赵丽娟
关键词:电源转换器电磁干扰抑制滤波器
部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型被引量:1
2013年
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产生电场峰值,降低漏端电场,并屏蔽漏压对最小表面势的影响。通过为沟道耗尽层各区建立柱坐标下电势泊松方程和相应的边界条件方程,采用径向抛物线近似对偏微分方程进行降维和解析求解技术,获得了DMSG结构的解析模型。仿真结果表明,与传统的部分耗尽环栅器件相比,DMSG结构载流子传输效率高,短沟道效应、漏致势垒降低效应和热载流子效应抑制能力强;所建解析模型与数值仿真软件的相对误差小于5%。
李尊朝罗诚王闯苗治聪张莉丽
关键词:金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压
共1页<1>
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