王邹平
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理。研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃。
- 王邹平薛成山庄惠照王英张冬冬黄英龙郭永福
- 关键词：GAN纳米线
- 钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。
- 薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平
- 关键词：氮化物溅射
- 磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性被引量：1
- 2008年
- 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。
- 薛成山陈金华庄惠照秦丽霞李红杨兆柱王邹平
- 关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶
- 氨化磁控溅射硅基Ga/_2O/_3//Cr薄膜制备GaN纳米结构的研究
- GaN是一种非常优异的Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温下GaN的禁带宽度是3.4eV,可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的...
- 王邹平
- 关键词：GAN磁控溅射氨化法
- 文献传递
- 化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒被引量：3
- 2009年
- 采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的直径在50～200nm之间，纳米棒的直径在200～800nm之间。
- 王英薛成山庄惠照王邹平张冬冬黄英龙
- 关键词：GAN纳米结构CVD
- Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线被引量：1
- 2009年
- 通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）和能量弥散X射线谱（EDX）的分析结果表明，采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，纳米线的直径大约在60～100nm之间，纳米线的长约十几个微米。EDX分析表明纳米线掺杂了镁。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于镁的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移。最后，简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 黄英龙薛成山庄惠照张冬冬王英王邹平郭永福刘文军
- 关键词：磁控溅射GAN纳米线氨化
- Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性被引量：2
- 2009年
- 利用类似Delta掺杂技术在硅衬底上沉积Mg:Ga2O3薄膜,然后在850℃下对薄膜进行氨化,反应后制备出大量Mg掺杂GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明,Mg掺杂GaN纳米线具有六方纤锌矿单晶结构,纳米线的直径在30-50nm范围内,长度为几十微米.
- 薛成山张冬冬庄惠照黄英龙王邹平王英
- 关键词：氮化镓纳米线单晶
- 氨化Si基Ga_2O_3/V膜制备GaN纳米线(英文)
- 2009年
- 氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线，X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现，纳米线具有十分光滑且干净的表面，其直径为20-60mm左右，长度达到十几微米。高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明。制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构。光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性。另外，简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制。
- 杨兆柱薛成山庄慧照王公堂陈金华李红秦丽霞王邹平
- 关键词：氮化镓纳米线光致发光
