高燕
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si_3N_4膜对MOS电容器存储时间影响的研究
- 2006年
- Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s。在50 Pa真空压力下,通过淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40 min,MOS电容器的存储时间也不到2 s。采用7孔径降低气体流速,从而降低淀积速率,在840℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s;在60.71 Pa真空压力下,淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器存储时间曲线不正常,经900℃O2气氛退火40 min,曲线恢复正常,MOS电容器存储时间达到400 s以上。
- 陈忠和许青高燕陈捷
- 关键词：退火
- 采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
- 2009年
- 采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。
- 张故万宋爱民雷仁方高燕罗春林伍明娟
- 关键词：低压化学气相淀积硅烷二氯二氢硅
